发明名称 显示装置
摘要 在以薄膜电晶体驱动的有机场致发光(EL)显示元件中,为抑制薄膜电晶体的经久劣化,而将薄膜电晶体之中至少一个或第2薄膜电晶体,以p通道型薄膜电晶体来形成。p通道型电晶体是和内装驱动电路内的薄膜电晶体同一步骤形成者。
申请公布号 TWM249169 申请公布日期 2004.11.01
申请号 TW092218012 申请日期 1998.02.17
申请人 精工爱普生股份有限公司 发明人 木村睦;伊藤友幸
分类号 G09G3/30;H05B33/08 主分类号 G09G3/30
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种显示装置,包含: 复数条扫描线; 复数条资料线; 复数条共用线;及 复数个图素,对应于该等复数条扫描线与复数条资 料线之交叉,各该等复数个图素含: 一保持电容器; 一发光元件,配置于一图素电极与一对置电极之间 ; 一第一电晶体,控制该等复数条资料线之一资料线 与该保持电容器间之导通;及 一第二电晶体,根据该保持电容器之电位控制该图 素电极与该等复数条共用线之一共用线间之导通, 该发光元件在一第一周期期间发出光线,而未在一 第二周期期间发出光线,及该图素电极之电位在该 第一周期及该第二周期之至少之一的期间比该对 置电极之电位更高。 2.如申请专利范围第1项之显示装置,其中该第二电 晶体系p通道型。 3.如申请专利范围第1项之显示装置,其中该图素电 极之电位在该第一周期之期间比该对置电极之电 位更高。 4.如申请专利范围第1项之显示装置,其中该图素电 极之电位在该第二周期之期间比该对置电极之电 位更高。 5.如申请专利范围第1项之显示装置,其中该图素电 极之电位在该第一周期及该第二周期之期间比该 对置电极之电位更高。 6.一种显示装置,包含: 复数条扫描线; 复数条资料线; 复数条共用线;及 复数个图素,对应于该等复数条扫描线与复数条资 料线之交叉,各该等复数个图素含: 一保持电容器; 一发光元件,配置于一图素电极与一对置电极之间 ; 一第一电晶体,控制该等复数条资料线之一资料线 与该保持电容器间之导通;以及 一第二电晶体,根据该保持电容器之电位控制该图 素电极与该等复数条共用线之一共用线间之导通, 该发光元件在一第一周期期间发出光线,而并未在 一第二周期发出光线,及 该保持电容器之电位在该第一周期及该第二周期 之至少之一的期间比该对置电极之电位更高。 7.如申请专利范围第6项之显示装置,其中该第二电 晶体系p通道型。 8.如申请专利范围第6项之显示装置,其中该保持电 容器之电位在该第一周期之期间比该对置电极之 电位更高。 9.如申请专利范围第6项之显示装置,其中该保持电 容器之电位在该第二周期之期间比该对置电极之 电位更高。 10.如申请专利范围第6项之显示装置,其中该保持 电容器之电位在该第一周期及该第二周期之期间 比该对置电极之电位更高。 11.如申请专利范围第1至10项中任一项之显示装置, 其中该发光元件系一有机场致发光(EL)元件。 图式简单说明: 第1图:应用本创作的显示装置之基本构成方块图 。 第2图:本创作实施例1的具薄膜电晶体的显示元件 之等效电路图。 第3图:本创作实施例1的具薄膜电晶体的显示元件 之驱动电压图。 第4图:本创作实施例1的电流薄膜电晶体之电流电 压特性图。 第5图:本创作实施例1的有机EL显示元件之电流电 压特性图。 第6(a)图:本创作实施例1的具薄膜电晶体的有机EL 元件之断面图。 第6(b)图:本创作实施例1的具薄膜电晶体的有机EL 元件之平面图。 第7图:本创作实施例2的具薄膜电晶体的有机EL显 示元件之等效电路图。 第8图:本创作实施例2的具薄膜电晶体的有机EL显 示元件之驱动电压图。 第9图:本创作实施例2的电流薄膜电晶体之电流电 压特性图。 第10图:本创作实施例2的有机EL显示元件之电流电 压特性图。 第11(a)图:本创作实施例2的具薄膜电晶体的有机EL 显示元件之断面图。 第11(b)图:本创作实施例2的具薄膜电晶体的有机EL 显示元件之平面图。 第12图:n通道型薄膜电晶体之经久劣化图。 第13图:p通道型薄膜电晶体之经久劣化图。 第14图:本创作的以薄膜电晶体驱动的有机EL显示 元件之制造工程图。
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