一种CdS或CdSe单晶纳米线阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种CdS或CdSe单晶纳米线阵列的制备方法，包括如下步骤：将CdS或CdSe固体放入衬底上，然后将所述衬底置于管式炉的高温加热区；对放入衬底的管式炉抽真空并通入保护气体，然后将所述管式炉升温，并将所述管式炉内压强保持在10‑2000Pa，进行反应0.1‑2h，反应结束后使所述管式炉自然降温至室温。该制备方法造价低廉、可控性强、步骤简单；本发明制备的CdS单晶纳米线阵列和CdSe单晶纳米线阵列排列整齐、晶体取向一致、结晶度高、缺陷低，表现出优异的光电性质。在纳米光电子器件、太阳能电池、光催化和生物传感等方面具有非常重要的研究价值和应用前景。

主权项

一种CdS或CdSe单晶纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将CdS固体放入衬底上，然后将所述衬底置于管式炉的高温加热区；对放入衬底的管式炉抽真空并通入保护气体，然后将所述管式炉升温至550‑850℃，并将所述管式炉内压强保持在10‑2000Pa，进行反应0.1‑2h，反应结束后使所述管式炉自然降温至室温，得CdS单晶纳米线阵列；或，将CdSe固体放入衬底上，然后将所述衬底置于管式炉的高温加热区；对放入衬底的管式炉抽真空并通入保护气体，然后将所述管式炉升温至550‑750℃，并将所述管式炉内压强保持在10‑2000Pa，进行反应0.1‑2h，反应结束后使所述管式炉自然降温至室温，得CdSe单晶纳米线阵列。