| 主权项 |
1.一种复晶矽薄膜电晶体制程,其系适用于以通道氧化处理一复晶矽通道层并以电浆助长化学气相沈积系统进行电浆氢化,该制程至少包括下列步骤:(a)提供一基板,并于该基板上形成一第一氧化层;(b)形成一复晶矽层于该第一氧化层上;(c)形成一闸极氧化层于该复晶矽层上;(d)形成该复晶矽通道层于该闸极氧化层上,并定义一源极与一汲极;(e)以通道氧化方式处理该复晶矽通道层;(f)形成一介电层于该复晶矽通道层上;以及(g)利用电浆助长化学气相沈积系统进行电浆氢化。2.如申请专利范第1项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该基板为一N型3~4cm之(100)矽基板(Si-substrate)。3.如申请专利范围第1项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该第一氧化层为一场氧化层。4.如申请专利范围第3项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该场氧化层之厚度为5000埃。5.如申请专利范围第1项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该复晶矽层系以低压化学汽相沈积方式(LPCVD)沈积于该第一氧化层上。6.如申请专利范围第5项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该复晶矽层之厚度为550埃。7.如申请专利范围第6项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该复晶矽薄膜层系以离子布植方式植入510^|1^|5cm^|-^|2之硼磷酸(PH3),并定义出N^|+闸极。8.如申请专利范围第1项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该闸极氧化层系以低压化学汽相沈积方式于790℃下沈积于该复晶矽层上。9.如申请专利范围第8项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该闸极氧化层之厚度为300埃。10.如申请专利范围第9项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该闸极氧化层更以800℃高温处理,使该闸极氧化层更为致密(densification)。11.如申请专利范围第1项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该复晶矽通道层之形成系先形成一非晶矽层于该闸极氧化层上,再经过一退火处理程序,使该非晶矽层再结晶而形成该复晶矽通道层。12.如申请专利范围第11项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该退火处理程序之条件为在氮气环境下以600℃进行24小时之退火处理。13.如申请专利范围第11项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该复晶矽通道层系以离子布植方式植入剂量510^|1^|2cm^|-^|2之磷离子。14.如申请专利范围第11项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该非晶矽层系以低压化学汽相沈积方式于525℃下沈积于该闸极氧化层上。15.如申请专利范围第14项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该非晶矽层之厚度为300埃。16.如申请专利范围第1项所述之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该源极与该闸极区域内植入剂量为510^|1^|5cm^|-^|2之硼离子。17如申请专利范围第1项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该通道氧化处理系以通过800℃之乾氧气进行。18.如申请专利范围第1项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该介电层系为一硼磷矽玻璃层(BPSG)。19.如申请专利范围第18项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该硼磷矽玻璃层之厚度为6000埃。20.如申请专利范围第19项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该硼磷矽玻璃层系经过850℃至950℃之热炉管,利用高温热流法使该硼磷矽玻璃层平坦化。21.如申请专利范围第1项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该通道氧化处理在该复晶矽通道宽度为0.5m时,最佳之通道氧化时间为1小时。22.如申请专利范围第21项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该电浆氢化之最佳处理时间为4小时。23.如申请专利范围第1项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该步骤(f)之后更包括一步骤(f1)定义接触窗并沈积金属以作为连接点。24.如申请专利范围第23项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该步骤(f1)之后更包括一步骤(f2)形成一保护层。25.一种复晶矽薄膜电晶体制程,至少包括下列步骤:(a)提供一基板;(b)形成一复晶矽通道层于该基板上;(c)以一通道氧化方式处理该复晶矽通道层;以及(d)利用电浆助长化学气相沈积系统进行电浆氢化。26.如申请专利范围第25项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该步骤(a)之后更包括一步骤(a1)于该基板上形成一第一氧化层。27.如申请专利范围第26项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该步骤(a1)之后更包括一步骤(a2)形成一复晶矽层于该第一氧化层上。28.如申请专利范围第27项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该步骤(a2)之后更包括一步骤(a3)形成一闸极氧化层于该复晶矽层上。29.如申请专利范围第28项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该步骤(a3)之后更包括一步骤(a4)形成该复晶矽通道层于该闸极氧化层上。30.如申请专利范围第25项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该步骤(b)之后更包括一步骤(b1)定义一源极与一汲极。31.如申请专利范围第25项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该步骤(c)之后更包括一步骤(c1)形成一介电层于该复晶矽通道层上。32.如申请专利范围第31项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该步骤(c1)之后更包括一步骤(c2)定义接触窗,并沈积金属以做为连接点。33.如申请专利范围第32项之复晶矽薄膜电晶体制程,其中该步骤(c2)之后更包括一步骤(c3)形成一保护层。 |
