| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体,系具有:基板,及配置于上述基板一主面上的闸电极,及于上述基板上覆盖上述闸电极状沈积的闸绝缘膜,及横跨上述闸电极,沈积在上述闸绝缘膜上之半导体膜,以及沈积于上述半导体上的层间绝缘膜;且上述闸电极系于接触上述基板侧扩大宽度,同时,该闸绝缘膜系以至少具有1200膜厚之氧化矽膜所成,为其特征者。2.如申请专利范围第1项的薄膜电晶体,系于该薄膜电晶体具有至少400膜厚的氮化矽膜,且沈积于上述基板与上述氧化化矽膜间者。3.一种薄膜电晶体的制造方法,系包括:于基板之一主面上,形成间电极的第1制程,及于上述基板上覆盖上述闸电极状沈积闸绝缘膜的第2制程,及于上述闸绝缘膜上,沈积横跨上述闸电极的半导体膜的第3制程,以及在上述半导体膜上,沈积层间绝缘膜的第4制程;且于上述第1制程,使上述闸电极在上述基板侧形成扩大的宽度,同时,于上述第2制程沈积膜厚至少为1200的氧化矽膜为其特征者。4.如申请专利范围第3项的薄膜电晶体的制造方法,该制造方法的第2制程,系于上述基板上,沈积膜厚至少为400的氮化矽膜后,在该氮化矽膜上沈积上述氧化矽膜者。图式简单说明:第一图为表示本发明薄膜电晶体构造之剖面图。第二图为表示本发明薄膜电晶体制造方法之前半制程之制程别剖面图。第三图为表示本发明薄膜电晶体制造方法之后半制程之制程别剖面图。第四图为表示习用薄膜电晶体构造之剖面图。 |
