非挥发性内存元件的制造方法及金属内连线制程

摘要

本发明是有关于一种非挥发性内存元件的制造方法及金属内连线制程。该非挥发性内存元件的制造方法，包括在基底上形成由穿隧层、电荷捕捉层、阻障层以及控制闸所构成的堆叠结构，并且在堆叠结构两侧的基底中形成源极/汲极，接着在堆叠结构的侧壁形成氧化硅材质的绝缘间隙壁。然后再在基底表面及堆叠结构的表面形成防UV的衬层，用以防止紫外光穿透至电荷捕捉层。再在防UV的衬层上形成介电层，并在介电层中形成与控制闸极电性连接的接触窗，之后在介电层上形成与接触窗电性连接的导线结构，然后，在介电层以及导线结构的表面形成低表面电荷衬层，降低天线效应对元件的影响。

主权项

1、一种非挥发性内存元件的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：在一基底上依序形成一穿隧材料层、一电荷捕捉材料层、一阻障材料层、一闸极导电层以及一抗反射层；在该抗反射层上形成一图案化的光阻层；以该光阻层为蚀刻罩幕图案化该抗反射层、该闸极导电层、该阻障材料层、该电荷捕捉材料层以及该穿隧材料层，以形成由一穿隧层、一电荷捕捉层、一阻障层以及一控制闸所构成的一堆叠结构，且该堆叠结构上是覆盖设有一图案化的抗反射层；移除该光阻层；在暴露的该控制闸的表面形成一薄氧化层；在该堆叠结构的侧壁形成一绝缘间隙壁，覆盖住该薄氧化层；以及在上述所形成的结构表面形成一防紫外光(UV)衬层。