发明名称 |
System und Verfahren für eine getaktete Leistungsversorgung |
摘要 |
Gemäß einer Ausführungsform beinhaltet ein Verfahren zum Betreiben einer getakteten Leistungsversorgung das Hochfahren der getakteten Leistungsversorgung durch das Anlegen eines ersten Schaltsignals an einen Steuerknoten des ersten Schalttransistors und eines zweiten Schaltsignals an einen Steuerknoten eines zweiten Schalttransistors, wobei ein Tastverhältnis des ersten Schaltsignals in Wesentlichen gleich einem Tastverhältnis des zweiten Schaltsignals ist. Nach dem Hochfahren der getakteten Leistungsversorgung wird die getaktete Leistungsversorgung durch Anlegen eines dritten Schaltsignals an den Steuerknoten des ersten Schalttransistors und eines vierten Schaltsignals an den Steuerknoten des zweiten Schalttransistors betrieben, wobei ein Tastverhältnis des dritten Schaltsignals im Wesentlichen gleich einem Tastverhältnis des vierten Schaltsignals ist. |
申请公布号 |
DE102015121991(A1) |
申请公布日期 |
2016.06.23 |
申请号 |
DE201510121991 |
申请日期 |
2015.12.16 |
申请人 |
Infineon Technologies Austria AG |
发明人 |
Chang, Chia Jui;Huang, Jheng Bin;Lin, Jin Hung |
分类号 |
H02M1/36;H02M1/42;H02M3/337 |
主分类号 |
H02M1/36 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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