发明名称 System und Verfahren für eine getaktete Leistungsversorgung
摘要 Gemäß einer Ausführungsform beinhaltet ein Verfahren zum Betreiben einer getakteten Leistungsversorgung das Hochfahren der getakteten Leistungsversorgung durch das Anlegen eines ersten Schaltsignals an einen Steuerknoten des ersten Schalttransistors und eines zweiten Schaltsignals an einen Steuerknoten eines zweiten Schalttransistors, wobei ein Tastverhältnis des ersten Schaltsignals in Wesentlichen gleich einem Tastverhältnis des zweiten Schaltsignals ist. Nach dem Hochfahren der getakteten Leistungsversorgung wird die getaktete Leistungsversorgung durch Anlegen eines dritten Schaltsignals an den Steuerknoten des ersten Schalttransistors und eines vierten Schaltsignals an den Steuerknoten des zweiten Schalttransistors betrieben, wobei ein Tastverhältnis des dritten Schaltsignals im Wesentlichen gleich einem Tastverhältnis des vierten Schaltsignals ist.
申请公布号 DE102015121991(A1) 申请公布日期 2016.06.23
申请号 DE201510121991 申请日期 2015.12.16
申请人 Infineon Technologies Austria AG 发明人 Chang, Chia Jui;Huang, Jheng Bin;Lin, Jin Hung
分类号 H02M1/36;H02M1/42;H02M3/337 主分类号 H02M1/36
代理机构 代理人
主权项
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