Resistance with improved breakdown characteristics, made by a double ion implantation process in a semi-conductor substrate, and method of making it.

摘要

Le procédé est essentiellement caractérisé en ce qu'il comporte deux étapes d'implantation successives d'ions bore, dans un substrat typiquement de silicium de type N; la première est à forte dose et à faible énergie (10¹² à 10¹<5> at/cm² -20 à 120 KeV) et la seconde est à faible dose et à forte énergie (10¹¹ à 10¹<4> at/cm² - 120 à 400 KeV). Le rapport préféré des doses est d'environ 10. Les résistances obtenues sont précises, elles ont en fait un faible TCR (coefficient de température) et une tension de claquage élevée; elles trouvent application notamment dans les circuits analogiques et les dispositifs de visualisation, à forte densité d'intégration.