| 发明名称 | 集成电路及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在分配给双极型晶体管的第一有源区和分配给场效应晶体管的第二有源区上制造双MOS电路,因为高温热处理破坏了场效应晶体管的源/漏区的杂质面,在所述双极型晶体管形成后制造场效应晶体管,为隔开发射区和发射极,在淀积一厚硅氧化物层前用阻蚀层覆盖部分场氧化物层,即使从第二有源区之间的场氧化物层去除厚硅氧化物层,阻蚀层防止场氧化物层接触蚀刻剂,并且场氧化物层保持原始厚度,由此不让寄生MOS晶体管导通。 | ||
| 申请公布号 | CN1230777A | 申请公布日期 | 1999.10.06 |
| 申请号 | CN99102772.8 | 申请日期 | 1999.03.02 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 横山宏明 |
| 分类号 | H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 姜丽楼 |
| 主权项 | 1．一种在一半导体基片(31；73)上制造的具有集成电路的半导体集成电路器件，它包括：一在所述半导体基片(31；73)正面上选择性生成的用于确定第一有源区和第二有源区的场绝缘层(34a/34b/34c/34d)，并具有生成在所述第一有源区之间的第一场部分以及生成在所述第二有源区之间的第二场部分；一分配给所述第一有源区的双极型晶体管(32；71)，并形成所述集成电路的一部分；以及分配给所述第二有源区的所述集成电路的其它电路元件(33；33/72)，并且在所述第二有源区(34d)具有一导电层(52)以便在所述第二有源区下面生成一寄生晶体管。其特征在于，所述第二场部分(34d)比所述第一场部分(34b)厚。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||