| 摘要 |
<p>본 발명은, 반도체 기판 내부에 전도율이 매우 높으며 가로로 절연된 매립 구역을 만들기 위한 방법에 관한 것으로, 상기 방법은 a) 전도율이 높은 매립 구역을 갖는 기판을 준비하는 단계, b) 상기 기판상에 기준층을 제공하는 단계, c) 상기 기준층을 구조화하는 단계, d) 기판 내부에 트렌치를 형성하는 단계 및 e) 상기와 같이 형성된 구조물상에 트렌치를 채우기 위해 사용되는 절연 재료를 제공하는 단계를 포함한다. 상기 기준층은, 트렌치를 채우기 위해 사용되며 기준층상에 있는 절연 재료의 성장률이 트렌치를 채우기 위해 사용되며 커버될 트렌치 표면상에 있는 절연 재료의 성장률보다 적어도 팩터 2 만큼 더 작도록 선택된다. 커버될 상기 트렌치 표면은 통상적으로 기판 재료로 이루어진다. 또한, 중간층이 제공될 수도 있다.</p> |
