多阶单元存储器的编程方法

摘要

一种MLC存储器的编程方法，MLC存储器包括多个位，每一位具有多个编程状态，每一编程状态具有一编程验证(PV)值。本方法包括a)使用位线偏压BL来编程存储器中具有阈值电压(Vt)值小于一预定编程状态的PV值的位；b)当存储器中所有位的Vt值皆不低于预定编程状态的PV值时，结束本方法，否则继续步骤c)；以及c)当所有编程位的Vt值皆低于PV值时，则设定BL＝BL+K1并重复步骤(a)，而当至少一编程位的Vt值不低于PV值时，则设定BL＝BL－K2并重复步骤a)其中，K1及K2为固定的正值。

主权项

1.一种多阶单元存储器的编程方法，该多阶单元存储器包括多个位，该多阶单元存储器具有多个编程状态，各所述编程状态具有一编程验证值，该方法包括：a)使用一位线偏压BL来编程该存储器中具有阈值电压值小于一预定编程状态的该PV值的位，以成为编程位，其中，该位线偏压BL值大于0；b)当该存储器中所有所述位的Vt值皆不低于该预定编程状态达到该PV值时，结束本方法，否则继续下一步骤c)；以及c)当所述编程位的Vt值皆低于该PV值时，设定BL＝BL+K1并重复该步骤a)，而当所述编程位其中至少一编程位的Vt值不低于该PV值时，设定BL＝BL-K2并重复该步骤a)，其中，K1及K2为固定的正值。