发明名称 使用介电增层的雷射辅助蚀刻以提供图案化嵌入式导电层的方法
摘要 提供图案化导电层之方法。方法包括:提供包含绝缘材料之增层;根据欲提供之图案化导电层的预定图案来雷射照射该增层的选定部位,雷射照射包含具有使用高于该绝缘材料之化学键的至少其中一些之键结能量的光子能量之雷射光束,以根据该预定图案来产生该增层的预定雷射减弱部位;移除该增层的雷射减弱部位,以根据预定图案来产生凹处;及以导电材料填充该等凹处,以产生图案化导电层。
申请公布号 TW200924896 申请公布日期 2009.06.16
申请号 TW097124231 申请日期 2008.06.27
申请人 英特尔股份有限公司 发明人 李永刚
分类号 B23K26/36(2006.01);H01L21/768(2006.01);B23K101/36(2006.01) 主分类号 B23K26/36(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国