CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种互补型金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，其包括形成于第一外延层中的红色光电二极管，与位于该红色光电二极管的局部区域中的接触区一起形成的绝缘层，在该绝缘层表面中形成的绿色光电二极管，在接触区中与绿色光电二极管隔开预定空间距离形成的触点，在其中形成绿色光电二极管的第一外延层上形成的第二外延层，在第二外延层中形成并电连接到所述绿色光电二极管和所述触点的多个接点，形成于第二外延层表面的器件绝缘膜，在绿色光电二极管上方的第二外延层表面中形成的蓝色光电二极管以及在接点里面的第二外延层中形成的阱区。

主权项

1.一种CMOS图像传感器，包括：形成于第一外延层中的红色光电二极管；形成于所述红色光电二极管上的绝缘层，并且所述绝缘层在所述红色光电二极管的局部区域中具有接触区；形成于所述绝缘层表面中的绿色光电二极管；在所述接触区中与所述绿色光电二极管隔开预定距离形成的触点；形成于所述第一外延层上方的第二外延层；电连接到所述绿色光电二极管和所述触点的多个接点；在所述第二外延层的表面中形成的至少一个器件绝缘膜；在所述绿色光电二极管上方的所述第二外延层表面中形成的蓝色光电二极管；以及在所述多个接点里面的所述第二外延层中形成的阱区，其中，所述绝缘层位于所述第一外延层中，并且所述蓝色光电二极管通过所述器件绝缘膜与所述阱区在空间上隔开预定距离。