发明名称 发光型晶体管和激光光源
摘要 本发明是一种作为具有开关功能的发光元件之发光型晶体管(LEFET),可得到充分的发光强度,发光效率高。在漏极电极(25)的材料中使用铝,在源极电极(24)的材料中使用金。通过向源极电极(24)-漏极电极(25)之间施加电压,分别从源极电极(24)向发光体层(26)中注入空穴,从漏极电极(25)向发光体层(26)中注入电子。空穴与电子再结合,使发光体层(26)发光。发光的ON/OFF由栅极电压的ON/OFF来控制。与以前在漏极电极中使用金相反,在本发明中,通过使用功函数比金小的铝,可以较低的电压向发光体层(26)中注入较多的电子。因此,提高发光强度和发光效率。
申请公布号 CN100569036C 申请公布日期 2009.12.09
申请号 CN200580004369.9 申请日期 2005.02.14
申请人 独立行政法人科学技术振兴机构 发明人 多田博一;坂上知
分类号 H05B33/14(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I;H05B33/26(2006.01)I 主分类号 H05B33/14(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 李香兰
主权项 1、一种发光型晶体管,其特征在于,具有:a)在表面形成了由SiO2构成的绝缘膜的栅极电极;b)第1源极·漏极电极,其直接配置于所述绝缘膜上,并由铝构成;c)第2源极·漏极电极,其与所述第1源极·漏极电极分离,同样配置于所述绝缘膜上,由功函数比4.26V大的空穴注入材料构成;和d)发光体层,其设置在所述第1源极·漏极电极与所述第2源极·漏极之间的所述绝缘膜上,并由有机半导体构成,所述绝缘膜的厚度是满足所述发光体层的发光波长干涉条件的厚度。
地址 日本埼玉县