发明名称 一种用于单粒子加固FPGA的多阈值非对称配置存储器
摘要 一种用于单粒子加固FPGA的多阈值非对称配置存储器。本发明的配置存储器使用多个不等阈值与不同宽长比沟道的MOS管以及上拉作用的PMOS管,其电路、版图、工艺参数三方面的不对称,实现了配置存储器在FPGA上电之后与清零之前的初始状态全部为“0”。本发明的配置存储器由8个PMOS管和8个NMOS管组成。其中8个PMOS管,有2个阈值较高且宽长比更小,以及有两组分别采用了2个PMOS管构成两个上拉作用电路;另外8个NMOS管,有2个阈值较高且宽长比更小。本发明的配置存储器具有多阈值非对称的特性,上电后的配置存储器具有确定的初始值,避免互连矩阵产生“1”和“0”的竞争路径,有效消除FPGA的上电浪涌电流。
申请公布号 CN105741868A 申请公布日期 2016.07.06
申请号 CN201610070862.0 申请日期 2016.02.02
申请人 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 发明人 赵元富;陈雷;张智龙;李学武;张彦龙;孙华波;王文锋;倪劼
分类号 G11C11/417(2006.01)I 主分类号 G11C11/417(2006.01)I
代理机构 中国航天科技专利中心 11009 代理人 陈鹏
主权项 一种用于单粒子加固FPGA的多阈值非对称配置存储器,包括PMOS管M1,PMOS管M2,PMOS管M3,PMOS管M4,NMOS管M5,NMOS管M6,NMOS管M7,NMOS管M8,NMOS管M9,NMOS管M10,NMOS管M11,NMOS管M12,其特征在于还包括:PMOS管M13,PMOS管M14,PMOS管M15,PMOS管M16;PMOS管M1的栅极连接PMOS管M4的漏极、NMOS管M7的漏极、NMOS管M8的漏极和NMOS管M11的漏极,PMOS管M1的源极连接电源,PMOS管M1的漏极连接PMOS管M2的栅极、NMOS管M5的漏极、NMOS管M8的栅极和NMOS管M12的漏极;PMOS管M2的栅极连接PMOS管M1的漏极、NMOS管M5的漏极、NMOS管M8的栅极和NMOS管M12的漏极,PMOS管M2的源极连接电源,PMOS管M2的漏极连接PMOS管M3的栅极、NMOS管M5的栅极、NMOS管M6的漏极、NMOS管M9的漏极和输出端Z;PMOS管M3的栅极连接PMOS管M2的漏极、NMOS管M5的栅极、NMOS管M6的漏极、NMOS管M9的漏极和输出端Z,PMOS管M3的源极连接电源,PMOS管M3的漏极连接PMOS管M4的栅极、NMOS管M6的栅极、NMOS管M7的漏极、NMOS管M10的漏极和输出端ZN;PMOS管M4的栅极连接PMOS管M3的漏极、NMOS管M6的栅极、NMOS管M7的漏极、NMOS管M10的漏极和输出端ZN,PMOS管M4的源极连接电源,PMOS管M4的漏极连接PMOS管M1的栅极、NMOS管M7的栅极、NMOS管M8的漏极和NMOS管M11的漏极;NMOS管M5的栅极连接PMOS管M2的漏极、PMOS管M3的栅极、NMOS管M6的漏极、NMOS管M9的漏极和输出端Z,NMOS管M5的源极接地,NMOS管M5的漏极连接PMOS管M1的漏极、PMOS管M2的栅极、NMOS管M8的栅极和NMOS管M12的漏极;NMOS管M6的栅极连接PMOS管M3的漏极、PMOS管M4的栅极、NMOS管M7的漏极、NMOS管M10的漏极和输出端ZN,NMOS管M6的源极接地,NMOS管M6的漏极连接PMOS管M2的漏极、PMOS管M3的栅极、NMOS管M5的栅极、NMOS管M9的漏极和输出端Z;NMOS管M7的栅极连接PMOS管M1的栅极、PMOS管M4的漏极、NMOS管M8的漏极和NMOS管M11的漏极,NMOS管M7的源极接地,NMOS管M7的漏极连接PMOS管M3的漏极、PMOS管M4的栅极、NMOS管M6的栅极、NMOS管M10的漏极和输出端ZN;NMOS管M8的栅极连接PMOS管M1的漏极、PMOS管M2的栅极、NMOS管M5的漏极和NMOS管M12的漏极,NMOS管M8的源极接地,NMOS管M8的漏极连接PMOS管M1的栅极、PMOS管M4的漏极、NMOS管M7的栅极和NMOS管M11的漏极;NMOS管M9的栅极连接字线WL,NMOS管M9的源极连接位线R,NMOS管M9的漏极连接PMOS管M2的漏极、PMOS管M3的栅极、NMOS管M5的栅极、NMOS管M6的漏极和输出端Z;NMOS管M10的栅极连接字线WL,NMOS管M10的源极连接位线RN,NMOS管M10的漏极连接PMOS管M3的漏极、PMOS管M4的栅极、NMOS管M6的栅极、NMOS管M7的漏极和输出端ZN;NMOS管M11的栅极连接字线WL,NMOS管M11的源极连接位线R,NMOS管M11的漏极连接PMOS管M1的栅极、PMOS管M4的漏极、NMOS管M7的栅极和NMOS管M8的漏极;NMOS管M12的栅极连接字线WL,NMOS管M12的源极连接位线RN,NMOS管M12的漏极连接PMOS管M1的漏极、PMOS管M2的栅极、NMOS管M5的漏极和NMOS管M8的栅极;PMOS管M13的栅极接地,PMOS管M13的源级连接电源,PMOS管M13的漏极连接PMOS管M14的漏极;PMOS管M14的栅极接地,PMOS管M14的源极接PMOS管M2的漏极、PMOS管M3的栅极、NMOS管M5的栅极和NMOS管M6的漏极,PMOS管M14的漏极连接PMOS管M13地漏极;PMOS管M15的栅极接地,PMOS管M15的源极连接电源,PMOS管M15的漏极连接PMOS管M16的漏极;PMOS管M16的栅极连接PMOS管M1的栅极、PMOS管M4的漏极、NMOS管M7的栅极和NMOS管M8的漏极,PMOS管M16的源极连接PMOS管M3的漏极、PMOS管M4的栅极、NMOS管M6的栅极和NMOS管M7的漏极,PMOS管M16的漏极连接PMOS管M15的漏极;所述配置存储器具有三个输入端,分别是字线WL,位线R和RN;两个输出端,分别是输出端口Z和ZN;若字线WL置“1”,则通过位线R和RN给配置存储器进行数据写入,若对字线WL置“0”,配置存储器则保存之前写入的数据;输出端口Z一直读出M5栅极的电平,输出端ZN口一直读出M6栅极的电平。
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