功率器件的CSP封装结构及其制造方法

摘要

本发明公开的功率器件的CSP封装结构，该结构利用管芯与管芯之间的划片道和/或管芯四个角处的区域，用腐蚀或者划片的方法，将这些区域的外延层去掉，露出N+衬底，之后用溅射或蒸发的方法在芯片表面蒸镀一层金属以此将衬底的N+层引到表面，以此来实现CSP封装的要求。本发明的有益效果在于：有效地充分利用芯片的表面积，最大可能地降低功率器件的导通电阻。

主权项

功率器件的CSP封装结构，包括芯片以及设置在所述芯片背面上的N+衬底，所述芯片的正面形成有若干均匀间隔分布的管芯，每一管芯内由上至下设置有一N+源极层和一P‑body层，每一管芯的正面上设置有至少一与所述N+源极层或P‑body层连接的源极凸点和至少一与多晶硅连接的栅极凸点，其特征在于，在所述芯片位于相邻的两个管芯之间的划片道和/或每一管芯的四个角的区域进行刻蚀并刻蚀至N+衬底，所述芯片位于每一管芯的正面除源极凸点和栅极凸点之外的区域上附着一层第一钝化层，在所述芯片的正面所有区域上附着一层金属层，所述金属层位于所述第一钝化层之上，所述金属层位于每一管芯上的区域上设置有源极、栅极和漏极压焊区域，所述芯片的正面所有区域上设置有一层第二钝化层，所述第二钝化层位于所述金属层之上，所述第二钝化层相对于每一源极、栅极和漏极压焊区域的位置刻蚀有分别与所述源极、栅极和漏极相对应的源极、栅极和漏极植球区域，在所述源极、栅极和漏极植球区域上焊接锡球。