发明名称 DIELECTRIC-METAL STACK FOR 3D FLASH MEMORY APPLICATION
摘要 3D 메모리 디바이스들에서 사용하기 위한 필름 층들의 스택을 형성하기 위한 방법이 제공된다. 방법은, 증착 반응기의 프로세싱 챔버에 기판을 제공하는 것으로 시작된다. 그런 다음, 유전체 층을 형성하기에 적합한 하나 또는 그 초과의 프로세스 가스들이 증착 반응기의 프로세싱 챔버 내로 공급되어, 기판 상에 유전체 층을 형성한다. 그런 다음, 금속 층(metallic layer)을 형성하기에 적합한 하나 또는 그 초과의 프로세스 가스들이 증착 반응기의 프로세싱 챔버 내로 공급되어, 유전체 층 상에 금속 층을 형성한다. 그런 다음, 금속 질화물 접착 층(metallic nitride adhesion layer)을 형성하기에 적합한 하나 또는 그 초과의 프로세스 가스들이 증착 반응기의 프로세싱 챔버 내로 공급되어, 금속 층 상에 금속 질화물 접착 층을 형성한다. 그런 다음, 시퀀스는 요구되는 개수의 층들을 형성하기 위해 반복된다.
申请公布号 KR20160107333(A) 申请公布日期 2016.09.13
申请号 KR20167022472 申请日期 2015.01.06
申请人 APPLIED MATERIALS, INC. 发明人 HAN XINHAI;RAJAGOPALAN NAGARAJAN;HONG SUNG HYUN;KIM BOK HOEN;SRINIVASAN MUKUND
分类号 H01L21/02;H01L27/115 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
地址