| 发明名称 | 氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的氮化物半导体器件，包括：n－GaN基板(10)，形成在n－GaN基板(10)的主面上的、包含p型区和n型区及其之间的有源层的半导体叠层结构。在半导体叠层结构上面处形成具有开口部的SiO<SUB>2</SUB>层(30)和与半导体叠层结构中所包含的p型区域的一部分相接触的p侧电极，在基板(10)的背面处形成n侧电极(36)。p侧电极包含与p型区的一部分相接触的p侧接触电极(2)和覆盖p侧接触电极(2)及SiO<SUB>2</SUB>层(30)的p侧布线电极(34)，p侧接触电极(32)的一部分自p侧布线电极(34)露出。 | ||
| 申请公布号 | CN101356701A | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
| 申请号 | CN200680050923.1 | 申请日期 | 2006.12.27 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 长谷川義晃;菅原岳;横川俊哉 |
| 分类号 | H01S5/042(2006.01) | 主分类号 | H01S5/042(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种氮化物半导体发光元件，包括：·包含n型杂质的氮化物类半导体基板；配置在上述半导体基板的主面上、包含p型区及n型区和配置在其间的有源层的半导体叠层结构；配置在上述半导体叠层结构上面处、具有开口部的绝缘膜；配置在上述半导体叠层结构上面侧、在上述绝缘膜的上述开口部与上述半导体叠层结构所包含的上述p型区的一部分相接触的p侧电极；以及设置在上述半导体基板的背面处的n侧电极，上述p侧电极包含与上述p型区的一部分相接触的第1p侧电极层和配置在上述第1p侧电极层上的第2p侧电极层；上述第1p侧电极层的一部分自上述第2p侧电极层露出。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||