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다이렉트 액세스를 갖는 다중-레벨 메모리를 구현하기 위한 방법, 디바이스 및 시스템의 실시예들이 개시된다. 일 실시예에서, 방법은 컴퓨터 시스템 내에서 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM)에 대한 메모리 대안(memory alternative)으로서 사용되도록 비-휘발성 랜덤 액세스 메모리(non-volatile random access memory: NVRAM)의 제1 양(amount)을 지정하는 단계를 포함한다. 이어서, 이 방법은 대용량 스토리지 디바이스(mass storage device)에 대한 스토리지 대안으로서 사용되도록 상기 NVRAM의 제2 양을 지정함으로써 진행한다. 이어서, 이 방법은 상기 컴퓨터 시스템의 동작 동안에, 상기 NVRAM의 제1 양의 적어도 제1 부분을 상기 메모리 대안 지정에서 상기 스토리지 대안 지정으로 재지정한다. 마지막으로, 이 방법은 상기 컴퓨터 시스템의 동작 동안에, 상기 NVRAM의 제2 양의 적어도 제1 부분을 상기 스토리지 대안 지정에서 상기 메모리 대안 지정으로 재지정한다. |
