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Halbleitervorrichtung (200), die Folgendes umfasst: ein Substrat (210); eine Ausbuchtungs-Struktur (220), die über dem Substrat (210) angeordnet ist und aus der Ebene des Substrats (210) hervorsteht; einen Gate-Stapel (250), der über dem Substrat (210) angeordnet ist, wobei der Gate-Stapel (250) einen ebenen Abschnitt aufweist, der symmetrisch zu der Mittelachse der Ausbuchtungs-Struktur (220) und parallel zu der Oberfläche des Substrats (210) ist, und eine Gating-Oberfläche, die einen mittleren Abschnitt der Ausbuchtungs-Struktur (220) umgibt; und einen Source-Bereich (260), der als ein oberer Abschnitt der Ausbuchtungs-Struktur (220) angeordnet ist und mit einem oberen Abschnitt der Gating-Oberfläche des Gate-Stapels (250) überlappt; einen Drain-Bereich (240), der über dem Substrat (210) angrenzend an die Ausbuchtungs-Struktur und symmetrisch bezüglich der Mittelachse der Ausbuchtungs-Struktur (220) angeordnet ist und sich zu einem unteren Abschnitt der Ausbuchtungs-Struktur (220) als ein angehobener Drain-Bereich erstreckt; einen Source-Kontakt (280), der auf dem Source-Bereich (260) angeordnet ist; einen Gate-Kontakt (282), der auf dem ebenen Abschnitt des Gate-Stapels (250) angeordnet ist; einen Drain-Kontakt (284), der auf dem Drain-Bereich (240) angeordnet ist; und wobei der Source-Kontakt (280) mit zwei anderen Source-Kontakten (280) von zwei angrenzenden Halbleitervorrichtungen so ausgerichtet ist, dass jeder der Source-Kontakte (280) in einem von drei Ecken eines gleichseitigen Dreiecks angeordnet ist. |
