发明名称 |
等离子体处理装置 |
摘要 |
本发明揭示一种等离子体处理装置,它包括:真空容器、基板电极、放电线圈、高频电源、用导线连至放电线圈且用连接电缆连至高频电源的匹配电路;通过把高频电压施加至放电线圈,在真空容器内产生等离子体,从而处理基板电极上的基板;其特征在于,所述放电线圈一部分或全部制成多重涡形的放电线圈或多重螺旋形的放电线圈。具有放电线圈用匹配电路的匹配用并联线圈引起的电力效率降低小及温升小的优点。 |
申请公布号 |
CN1132930A |
申请公布日期 |
1996.10.09 |
申请号 |
CN95115736.1 |
申请日期 |
1995.09.13 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
奥村智洋;中山一郎;柳义弘 |
分类号 |
H01L21/3065;H01L21/203;H01L21/205;H05H1/00 |
主分类号 |
H01L21/3065 |
代理机构 |
上海专利商标事务所 |
代理人 |
沈昭坤 |
主权项 |
1.一种等离子体处理装置,包括:真空容器、基板电极、放电线圈、高频电源、用导线连至放电线圈且用电缆连至高频电源的匹配电路;通过施加高频电压至放电线圈,在真空容器内产生等离子体,从而处理基板电极上的基板;其特征在于,所述放电线圈一部分或全部制成多重涡形。 |
地址 |
日本大阪府 |