多路复用/多路解复用单元

摘要

本发明涉及一个构成集成电路和构成硅表面的子表上的模块，例如数字Bi-CMOS电路并利用该电路上的一个CMOS区的多路复用/多路解复用单元，其中硅表面的第一子平面包含第一系列(41′)的信号输入和输出电路，第二子平面包含第二系列(41″)的输入和输出电路。在第一第二子平面的硅表面上或以某种合适的方式放置一个区域，用于承载控制逻辑(51)，存储器(52)，缓冲电路(53)，同步电路结构(54)和必需的导线并在多路复用和多路解复用信号时都完成处理信号、存储信号和发送所选的输出电路上已处理过的信号的功能。

主权项

1.一个作为集成电路和硅表面的子表面构成的多路复用/多路解复用单元，例如数字Bi-CMOS电路并使用所述电路上的一个CMOS区，其中所用的硅表面的第一子表面包含信号输入和输出电路的第一系列(41′)，第二子表面包含输入和输出电路的第二系列(41″)，其特征在于，存在一个位于第一和第二子表面之间的硅表面上或以某种合适的方式存在并用于承载控制逻辑(51)，存储器(52)，缓冲电路(53)，同步电路结构(54)和必需的导线的区域，在多路复用和多路解复用信号时，所述区域被用来处理信号，存储信号和在所选的输出电路上发送已处理过的信号。