| 主权项 |
1.一种半导体发光元件之制造方法,其系于基板上至少含有n型层及p型层,并叠层形成发光层的氮化镓系化合物半导体,及在进行使该叠层之半导体层的p型层活性化的热处理之半导体发光元件之制造方法中,使该热处理于含氧环境中进行者。2.一种半导体发光元件之制造方法,包括;(a)在基板上依序叠层由氮化镓系化合物半导体所成的缓冲层、n型层、活性层及p型层;(b)将叠层有上述半导体层的基板放入加热炉而在含氧环境中进行上述使p型层活性化的活性化处理;(c)进行清洗处理去除于上述活性化处理制程中形成于半导体层表面的氧化膜;(d)在以上述清洗处理制程洗净的p型层表面形成电流扩散层;(e)以蚀刻去除上述电流扩散层及叠层之半导体层之一部分而露出上述n型层;以及分别电气连接上述露出的n型层;及上述p型层而形成电极。3.如申请专利范围第1项或第2项记载之半导体发光元件之制造方法,其中上述之含氧环境为大气环境或于非活性气体中混入一部分空气的环境者。图式简单说明:第一图为本发明之一实施形态例的制程说明图。第一图(a)形成半导体发光元件的半导体沈积之剖视图。第一图(b)沈积半导体层的晶圆进行活性化处理的状况图。第一图(c)本发明半导体发光元件的剖视说明图。第二图为习用蓝色系半导体发光元件一示例之剖视说明图。 |
