| 主权项 |
1.一种向异性导电膜,属于黏着半导体晶片和基板的同时,呈前述半导体晶片和前述基板之电气导通媒体的向异性导电膜中,其特征系具有第1构件,和邻接前述第1构件加以配置所成之第2构件;前述第1构件系经由具有较前述第2构件流动性低之特性的材料所形成者。2.一种向异性导电膜,属于黏着半导体晶片和基板的同时,呈前述半导体晶片和前述基板之电气导通媒体的向异性导电膜中,其特征系具有第1构件,和邻接前述第1构件加以配置所成之第2构件;前述第1构件系藉由在于前述半导体晶片和前述基板之接合时,发现较前述第2构件流动性为低之特性的材料所形成者。3.如申请专利范围第1或第2项之向异性导电膜,其中,前述第2构件系形成呈与形成前述半导体晶片之电极的面几近成同一形状者。4.如申请专利范围第3项之向异性导电膜,其中,前述第2构件系形成呈与形成前述半导体晶片之前述电极的面几近成同一面积者。5.一种电路基板,其特征系具有基板和第1构件,和邻接前述第1构件加以配置所成之第2构件,前述第1构件系经由具有较前述第2构件流动性低之特性的材料所形成的向异性导电膜;于前述基板设置前述向异性导电膜者。6.如申请专利范围第5项之电路基板,其中,前述向异性导电膜系前述第1构件为在于前述半导体晶片和前述基板之接合时,发现较述第2构件之流动性为低之特性的材料所成者。7.一种电子机器,其特征系具有第1构件,和邻接前述第1构件加以配置所成之第2构件;前述第1构件系具有经由较前述第2构件流动性低之特性的材料所形成的向异性导电膜。8.如申请专利范围第7项之电子机器,其中,前述向异性导电膜系前述第1构件为在于前述半导体晶片和前述基板之接合时,发现较前述第2构件之流动性为低之特性的材料所成者。9.一种半导体装置,属于具备将半导体晶片经由向异性导电膜加以安装的基板的半导体装置中,其特征系前述向异性导电膜系具有相当于边缘部之第1构件,和较前述第1构件位于中央侧之第2构件,前述第1构件系经由具有较前述第2构件流动性低之特性的材料所形成者。10.一种半导体装置,属于具备将半导体晶片经由向异性导电膜加以安装的基板的半导体装置中,其特征系前述向异性导电膜系具有相当于边缘部之第1构件,和较前述第1构件位于中央侧之第2构件,前述第1构件系藉由在前述半导体晶片和前述基板之接合时,发现前述第2构件流动性为低之特性的材料所形成者。11.如申请专利范围第9或第10项之半导体装置,其中,前述第2构件系形成呈与形成前述半导体晶片之电极的面几近成同一形状者。12.如申请专利范围第10项之向异性导电膜,其中,前述第2构件系形成呈与形成前述半导体晶片之前述电极的面几近成同一面积者。13.一种半导体晶片之安装方法,属于将形成电极之半导体晶片之一方之面,对形成基板之电极的面,呈相对向方向加以安装之半导体晶片之安装方法,其特征系具有将具有第1构件,和邻接于前述第1构件加以配置所成之第2构件的向异性导电膜,贴着于形成前述基板之前述电极之面的工程,和将前述半导体晶片载置于述向异性导电膜上之工程,和将前述半导体晶片经由加热加压体,边加边边按压地连接于前述基板之工程。14.如申请专利范围第13项所记载之半导体晶片之安装方法,其中,前述第1构件系具有较前述第2构件流动性为低之特性者。15.如申请专利范围第13或第14项之半导体晶片之安装方法,其中,前述第2构件系形成呈与前述一方的面几近成同一形状者。16.如申请专利范围第15项之半导体晶片之安装方法,其中,前述第2构件系形成呈与前述一方之面几近成同一面积者。17.一种半导体晶片之安装方法,属于将形成电极之半导体晶片之一方之面,对形成基板之电极的面,呈相对向方向加以安装之半导体晶片之安装方法,其特征系具有加热较热塑性树脂所成向异性导电膜之边缘部位于中央侧之范围,提高前述向异性导电膜之流动性之工程,和将前述向异性导电膜,贴着于形成前述基板之前述电极之面的工程,和将前述半导体晶片载置于前述向异性导电膜上之工程,和将前述半导体晶片经由加热加压体,边加热边按压地连接于前述基板之工程。18.如申请专利范围第17项之半导体晶片之安装方法,其中,前述向异性导电膜系将前述范围与前述之一方的方面几近呈同一形状者。19.一种半导体晶片之安装方法,属于将形成电极之半导体晶片之一方之面,对形成基板之电极的面,呈相对向方向加以安装之半导体晶片之安装方法,其特征系具有将形成呈框状之向异性导电膜,贴着于形成述基板之前述电极之面的工程,和于前述向异性导电膜之内侧范围,设置较前述向异性导电膜流动性高之向异性导电黏着剂之工程和将前述半导体晶片载置于前述向异性导电膜上之工程,和将前述半导体晶片经由加热加压体,边加热边按压地连接于前述基板之工程。20.如申请专利范围第19项之半导体晶片之安装方法,其中,前述向异性导电膜之内侧之范围系形成呈与前述之一方面几近呈同一形状者。21.一种半导体装置,其特征系使用属于将形成电极之半导体晶片之一方之面,对形成基板之电极的面,呈相对向方向加以安装之半导体晶片之安装方法,具有将具有第1构件,和邻接前述第1构件加以配置所成之第2构件的向异性导电膜,贴着于形成前述基板之前述电极之面的工程,和将前述半导体晶片载置于前述向异性导电膜上之工程,和将前述半导体晶片经由加热加压体,边加热边按压地连接于前述基板之工程的半导体晶片之安装方法加以制造者。22.一种半导体装置,其特征系使用属于将形成电极之半导体晶片之一方之面,对形成基板之电极的面,呈相对向方向加以安装之半导体晶片之安装方法中,具有加热较热塑性树脂所成向异性导电膜之边缘部位于中央侧之范围,提高前述向异性导电膜之流动性之工程,和将前述向异性导电膜,贴着于形成前述基板之前述电极之面的工程,和将前述半导体晶片载置于前述向异性的导电膜上之工程,和将前述半导体晶片经由加热加压体,边加热边按压地连接于前述基板之工程的半导体晶片之安装方法加以制造者。23.一种半导体装置,其特征系使用属于将形成电极之半导体晶片之一方之面,对形成基板之电极的面,呈相对向方向加以安装之半导体晶片之安装方法中,其特征系具有将形成呈框状之向异性导电膜,贴着于形成前述基板之前述电极之面的工程,和于前述向异性导电膜之内侧范围,设置较前述向异性电膜流动性高之向异性导电黏着剂之工程和将前述半导体晶片载置于前述向异性导电膜上之工程,和将前述半导体晶片经由加热加压体,边加热边按压地连接于前述基板之工程的半导体晶片之安装方法加以制造者。24.一种电子机器,其特征系具备使用属于将形成电极之半导体晶片之一方之面,对形成基板之电极的面,呈相对向方向加以安装之半导体晶片之安装方法中,具有将具有第1构件,和邻接于前述第1构件加以配置所成之第2构件的向异性导电膜,贴着于形成前述基板之前述电极之面的工程,和将前述半导体晶片载置于前述向异性导电膜上之工程,和将前述半导体晶片经由加热加压体,边加热边按压地连接于前述基板之工程的半导体晶片之安装方法加以制造的半导体装置者。25.一种电子机器,其特征系具备使用属于将形成电极之半导体晶片之一方之面,对形成基板之电极的面,呈相对向方向加以安装之半导体晶片之安装方法中,具有加热较势塑性树脂所成向异性导电膜之边缘部位于中央侧之范围,提高前述向异性导电膜之流动性之工程,和将前述向异性导电膜,贴着于形成前述基板之前述电极之面的工程,和将前述半导体晶片载置于前述向异性导电膜上之工程,和将前述半导体晶片经由加热加压体,边加热边按压地连接于前述基板之工程的半导体晶片之安装方法加以制造的半导体装置者。26.一种电子机器,其特征系具备使用属于将形成电极之半导体晶片之一方之面,对形成基板之电极的面,呈相对向方向加以安装之半导体晶片之安装方法中,其特征系具有将形成呈框状之向异性导电膜,贴着于形成前述基板之前述电极之面的工程,和于前述向异性导电膜之内侧范围,设置较前述向异性导电膜流动性高之向异性导电黏着剂之工程和将前述半导体晶片载置于前述向异性导电膜上之工程,和将前述半导体晶片经由加热加压体,边加热边按压地连接于前述基板之工程的半导体晶片之安装方法加以制造的半导体装置者。图式简单说明:第一图显示有关本发明之第1之实施形态之半导体晶片之安装状态的截面图。第二图显示有关本发明之第1之实施形态之半导体晶片之安装工程的截面图,(1)系显示将向异性导电膜贴附于基板之状态的截面图,(2)系显示将半导体晶片载置于向异性导电膜之状态的截面图,(3)系显示将半导体晶片呈热压着状态的截面图。第三图显示有关本发明之第2实施形态之半导体晶片之安装工程的截面图,(1)系显示将异性导电膜贴附于基板之状态的斜视图,(2)系该C–C线截面图,(3)系显示于向异性导电膜之内侧范围,涂布糊状之向异性导电黏着剂的状态截面图。第四图有关本发明之第1之实施形态的向异性导电膜之斜视图。第五图显示以往之向异性导电膜所成半导体晶片之安装状态的截面图。第六图经由有关于本发明之任一实施例形态之向异性导电膜,安装半导体晶片之电路基板之说明图。第七图有关本发明之实施形态的笔记型个人电脑的说明图。第八图有关本发明之实施形态的携带电话之说明图。 |
