Cu₃P纳米线负极的制备方法、用该方法制得的Cu₃P纳米线负极及其应用

摘要

本发明涉及一种Cu₃P纳米线负极的制备方法、用该方法制得的Cu₃P纳米线负极及其应用，它包括以下步骤：（a）将铜箔一面浸入过硫酸盐和氢氧化物的混合水溶液中进行反应，使其一侧表面形成氢氧化铜纳米线；（b）将过量的次磷酸盐置于管式炉中部，同时将一侧表面形成氢氧化铜纳米线的铜箔置于其下游，用惰性气体排出管式炉中空气后进行加热，在低温条件下使产生的磷化氢气体与一侧表面形成氢氧化铜纳米线的铜箔反应即可得基于铜箔基底原位、单侧、大规模生长的Cu₃P纳米线负极材料。该材料可以直接作为钠离子半、全电池的负极材料，不仅工艺步骤简单、成本较低，而且利于放大生产和大规模推广。

主权项

一种Cu₃P纳米线负极的制备方法，其特征在于，它包括以下步骤：（a）将铜箔一面浸入过硫酸盐和氢氧化物的混合水溶液中进行反应，使其一侧表面形成氢氧化铜纳米线；（b）将过量的次磷酸盐置于管式炉中部，同时将一侧表面形成氢氧化铜纳米线的铜箔置于其下游，用惰性气体排出管式炉中空气后进行加热，使产生的磷化氢气体与一侧表面形成氢氧化铜纳米线的铜箔反应即可。