发明名称 存储装置、存储器系统及它们的操作方法
摘要 本发明公开了一种用于操作NAND闪速存储器系统的方法,温度感测装置检测NAND闪速存储器系统的温度降低至第一阈温度水平以下,并且时钟控制单元响应于检测到温度降低至第一阈温度水平以下调整存储器存取操作的操作条件。
申请公布号 CN105895161A 申请公布日期 2016.08.24
申请号 CN201610087796.8 申请日期 2016.02.16
申请人 三星电子株式会社 发明人 郑云在;申韩臣
分类号 G11C16/34(2006.01)I 主分类号 G11C16/34(2006.01)I
代理机构 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人 张帆;张青
主权项 一种用于操作NAND闪速存储器系统的方法,所述方法包括步骤:检测NAND闪速存储器系统的温度降低至第一阈温度水平以下;以及响应于检测到NAND闪速存储器系统的温度降低至第一阈温度水平以下,调整存储器存取操作的操作条件。
地址 韩国京畿道