| 主权项 |
1.一种具有要求延迟锁定回路运作模式及不要求延迟锁定回路运作模式之半导体记忆装置,包括:一参考电压产生器,用于产生一参考电压;一延迟锁定回路参考电压产生器,用以接收一控制信号与参考电压,及假使控制信号被去能时,产生延迟锁定回路参考电压,而假使控制信号被致能时,不启动延迟锁定回路参考电压产生器;以及一开关,连接于参考电压产生器与延迟锁定回路参考电压产生器之间,以回应于控制信号而传输参考电压至延迟锁定回路参考电压产生器。2.如申请专利范围第1项之半导体记忆装置,其中该开关为一传输闸。3.如申请专利范围第1项之半导体记忆装置,其中该延迟锁定回路参考电压产生器包括:一差动放大单元,用于接收参考电压并产生延迟锁定回路参考电压;以及一逻辑单元,用于接收控制信号及当控制信号被致能时,不启动差动放大单元而防止产生延迟锁定回路参考电压。4.如申请专利范围第1项之半导体记忆装置,更包含:一内部电压产生器,以接收控制信号与延迟锁定回路参考电压,并在控制信号被去能时产生一内部供给电压。5.如申请专利范围第4项之半导体记忆装置,其中该内部电压产生器包括:一差动放大单元,以接收延迟锁定回路参考电压并产生内部供给电压;以及一控制单元,以接收控制信号及当控制信号被致能时,不启动差动放大单元而防止产生内部供给电压。6.一种操作一延迟锁定回路之方法,包含下列之步骤:当延迟锁定回路在使用时提供一去能之控制信号及当延迟锁定回路未使用时提供一致能之控制信号;仅当控制信号为去能时,产生一延迟锁定回路参考电压;仅当控制信号为去能时,产生一内部供给电压;及仅当控制信号为去能时,传输延迟锁定回路参考电压及内部供给电压至延迟锁定回路。7.如申请专利范围第6项之方法,更包含产生一第二参考电压之步骤,其中该第二参考电压系用以产生延迟锁定回路参考电压。图式简单说明:第一图为解释如本发明第一具体实施例之半导体记忆装置中之延迟锁定回路控制电路之方块图;第二图为解释第一图所示参考电压产生器之电路图;第三图为解释第一图所示用于延迟锁定回路之参考电压产生器之电路图;第四图为解释第一图所示待用内部电压产生器之电路图;第五图为解释第一图所示有功内部电压产生器之电路图;第六图为解释第一图之延迟锁定回路控制电路之定时图;第七图为解释如本发明第二具体实施例之半导体记忆装置中之延迟锁定回路控制电路之方块图;第八图为解释第七图所示用于延迟锁定回路之参考电压产生器之电路图;以及第九图为解释第七图之延迟锁定回路控制电路之定时图。 |
