发明名称 保偏光纤耦合器及其制作方法
摘要 本发明提供一种制造容易且降低了过剩损失的保偏光纤耦合器及其制作方法。本发明提供的保偏光纤耦合器(30),其中,形成熔融延伸部(24)的保偏光纤(20)中至少一根的纤芯(21)的纤芯径/包层(22)的包层径、或应力附加部(23、23)之间的距离/包层(22)的包层径,大于保偏光纤(20)的未形成熔融延伸部(24)的部分的纤芯(21)的纤芯径/包层(22)的包层径、或应力附加部(23、23)之间的距离/包层(22)的包层径,并且,在熔融延伸部(24)中,应力附加部(23、23)被包围在包层(22)内。采用2个应力附加部(23、23)的邻近外周间的距离在20μm以上的保偏光纤。
申请公布号 CN1259582C 申请公布日期 2006.06.14
申请号 CN03149718.7 申请日期 2003.08.06
申请人 株式会社藤仓 发明人 大内康弘;田中大一郎
分类号 G02B6/024(2006.01);G02B6/26(2006.01) 主分类号 G02B6/024(2006.01)
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 王学强
主权项 1.一种保偏光纤耦合器,其并列配置多根具有2个应力附加部的保偏光纤,该2个应力附加部在包围着纤芯的包层内相对于纤芯对称配置,该多根保偏光纤的长度方向的一部分经熔融延伸而形成熔融延伸部,其特征在于:形成所述熔融延伸部的所述保偏光纤中至少一根的纤芯径÷包层径、或应力附加部之间的距离÷包层径,要比所述保偏光纤的未形成所述熔融延伸部的部分的纤芯径÷包层径、或应力附加部之间的距离÷包层径大,且在所述熔融延伸部中,所述应力附加部被包围在所述包层内。
地址 日本东京都