在半导体器件中形成隔离层的方法

摘要

此处公开的是一种形成半导体器件的元件隔离膜的方法。根据本发明，用一湿法刻蚀速率高的氧化铝膜作为垫氧化物膜，形成沟槽，并在利用清洗工序去除部分氧化铝膜的时候修圆沟槽的顶部和底部边沿。因此可能无需使用聚合物修圆沟槽的顶部和底部边沿。同样还可能将形成栅氧化膜之前在清洗工序中因场效应区和有源区之间的台阶而生成的沟堑降到最浅。

主权项

1.一种形成的半导体器件的元件隔离膜的方法，其包括的步骤有：在一半导体衬底上形成一垫氧化物膜和一垫氮化物膜；刻蚀所述垫氮化物膜和垫氧化物膜的预定区域并随之刻蚀所述半导体衬底以形成沟槽；进行一清洗工序，在去除部分所述垫氧化物膜的时候修圆所述沟槽的顶部和底部边沿；在所述的整个表面上形成一氧化物膜以掩埋所述沟槽；以及抛光所述氧化物膜并随后去除所述氧化物膜、所述垫氮化物膜和所述垫氧化物膜，且其中所述垫氧化物膜包括一氧化铝膜。