| 摘要 |
<p>본발명은 반도체 소자에 관한 것으로 특히 자기정렬 실리사이드 씨모스 공정을 이용한 반도체 소자의 제조에 있어서 정전방전(ESD; Electrostatic Discharge) 보호소자의 정전방전 보호특성을 개선한 반도체 소자의 구조 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본발명은, ESD 보호소자의 게이트 전극 형성시, ESD 보호소자의 드레인 및/또는 소스 상면에 상기 게이트 전극과 소정 거리 이격한 위치에 상기 게이트 전극의 형성과 동시에 더미 게이트 전극을 형성하여, 자기정렬실리사이드 반응을 방지하는 실리사이드 저지부를 갖도록 한 반도체 소자 및 그 제조방법을 제공한다.</p> |
