| 主权项 |
1.一种具备零切入电压特性之整流电路,主要包括:一固定偏压电路,包括一电阻与一N型MOS电晶体,该电阻与该N型MOS电晶体之汲极连接,该N型MOS电晶体之闸极与汲极相连;一第一N型MOS电晶体,其闸极与该偏压电路之N型MOS电晶体之闸极相连,以形成一零切入电压二极体;一第二N型MOS电晶体,其闸极与该偏压电路之N型MOS电晶体之闸极相连,以形成另一零切入电压二极体;以及交互相连之第一P型MOS电晶体与第二P型MOS电晶体,其耦接至该第一、第二N型MOS电晶体,以将交流电压源输入中之较高电位导通至直流电压输出之高电位,而交流电压源输入中之较低电位系透过该零切入电压二极体之一,对直流电压输出之低电位充电。2.如申请专利范围第1项所述之整流电路,其中,该第一、第二N型MOS电晶体与该固定偏压电路之N型MOS电晶体系为特性相同之电晶体。3.如申请专利范围第2项所述之整流电路,其中,该固定偏压电路之N型MOS电晶体系由该电阻之阻値控制以偏压在近乎起始电压。4.一种模拟零切入电压二极体之电路,主要包括:一第一N型MOS电晶体,其闸极与汲极相连;一电阻,其与该第一N型MOS电晶体之汲极连接以形成一偏压电路;以及一第二N型MOS电晶体,其系与第一N型MOS电晶体具有相同之特性,且其闸极与该第一N型MOS电晶体之闸极互连;其中,该第一N型MOS电晶体之闸极系由该电阻之阻値控制以偏压在近乎起始电压。5.一种具备零切入电压特性之整流电路,主要包括:一固定偏压电路,包括一电阻与一P型MOS电晶体,该电阻与该P型MOS电晶体之汲极连接,该P型MOS电晶体之闸极与汲极相连;一第一P型MOS电晶体,其闸极与该偏压电路之P型MOS电晶体之闸极相连,以形成一零切入电压二极体;一第二P型MOS电晶体,其闸极与该偏压电路之P型MOS电晶体之闸极相连,以形成另一零切入电压二极体;以及交互相连之第一N型MOS电晶体与第二N型MOS电晶体,其耦接至该第一、第二P型MOS电晶体,以将交流电压源输入中之较低电位导通至直流电压输出之低电位,而交流电压源输入中之较高电位系透过该零切入电压二极体之一,对直流电压输出之高电位充电。6.如申请专利范围第5项所述之整流电路,其中,该第一、第二P型MOS电晶体与该固定偏压电路之P型MOS电晶体系为特性相同之电晶体。7.如申请专利范围第6项所述之整流电路,其中,该固定偏压电路之P型MOS电晶体系由该电阻之阻値控制以偏压在VDD-Vtp,当中,VDD为直流电压之高电位,Vtp为为P型MOS电晶体之起始电压。8.一种模拟零切入电压二极体之电路,主要包括:一第一P型MOS电晶体,其闸极与汲极相连;一电阻,其与该第一P型MOS电晶体之汲极连接以形成一偏压电路;以及一第二P型MOS电晶体,其系与第一P型MOS电晶体具有相同之特性,且其闸极与该第一P型MOS电晶体之闸极互连;其中,该第一P型MOS电晶体系由该电阻之阻値控制以偏压在VDD-Vtp,当中,VDD为直流电压之高电位,Vtp为P型MOS电晶体之起始电压。图式简单说明:第1图:系显示本创作之一较佳实施例的具备零切入电压特性之整流电路。第2a图:系显示本创作之一较佳实施例的模拟零切入电压二极体之电路。第2b图:系显示本创作之模拟零切入电压二极体之电路的特性曲线。第3图:系显示本创作之另一较佳实施例的具备零切入电压特性之整流电路。第4图:系显示本创作之另一较佳实施例的模拟零切入电压二极体之电路。第5图:系为一习知全波整流器之电路图。第6图:系为第5图之全波整流器的整流波形图。第7图:系为另一习知全波整流器之电路图。第8图:系为第7图之全波整流器的整流波形图。第9图:系为习知之零切入电压二极体的电路图。 |
