发明名称 APPAREIL ET PROCEDE D'ATTAQUE DE TRANCHES DE MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS ET PIEZO-ELECTRIQUES
摘要 <P>L'invention concerne un appareil d'attaque.Elle se rapporte à un appareil qui comprend une cloche (16) délimitant une cavité ayant une ouverture à sa partie inférieure, une table (11) de chargement de tranche (21) placée dans la cloche (16) ou sous l'ouverture de la cloche (16), un instrument (17) de concentration de gaz en forme de dôme placé entre la table (11) de chargement de tranche et la cloche (16) et ayant une ouverture (17a) à sa partie supérieure, et un orifice (12) d'introduction de gaz formé dans une zone latérale de l'instrument (17) de concentration de gaz et entre cet instrument (17) de concentration de gaz et la cloche (16).Application à l'attaque de tranches de matériaux semi-conducteurs et piézoélectriques.</P>
申请公布号 FR2787924(A1) 申请公布日期 2000.06.30
申请号 FR19990008293 申请日期 1999.06.29
申请人 FUJITSU LIMITED 发明人 SASAKI TOSHIKAZU
分类号 H01L21/302;H01L21/00;H01L21/3065;(IPC1-7):H01L41/22 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
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