| 主权项 |
1.一种制造一积体电路之方法,包含下列步骤:在邻近一半导体晶片形成一铝层;在邻近铝层形成一光阻层并具有铝层之至少一部分未被覆盖;曝光光阻层,以形成一图案影像;利用一显影剂显影曝光之光阻层及依据光阻层,显影剂及铝之交互作用,将未显影之光阻层去膜,以界定具有比将在邻近铝层所制造出之宽度更缩减之宽度之光罩特征之光罩;及利用包括具有缩减宽度之特征之光罩来蚀刻铝层藉此界定具有比将被制造出之尺寸较小之临界尺寸之电路特征。2.如申请专利范围第1项之方法,尚包含设计一初缩掩膜版来形成用于光罩特征之缩减宽度之图样映像之步骤。3.如申请专利范围第1项之方法,其中光罩特征界定具有完全垂直边墙之外貌。4.如申请专利范围第1项之方法,尚包含在铝层上先于形成光阻层之步骤前,形成一抗反射层之步骤。5.如申请专利范围第4项之方法,其中抗反射层包含一不熔解之金属氮。6.如申请专利范围第1项之方法,尚包含在蚀刻步骤后移去光罩之步骤。7.如申请专利范围第1项之方法,其中光阻层为包含一感光合成物,一基底树脂及一有机溶剂之正性光阻层。8.如申请专利范围第1项之方法,其中被蚀刻之铝层界定用于积体电路之一相互连接层。9.如申请专利范围第1项之方法,尚包含在邻近半导体晶片形成一绝缘层之步骤,及其中铝层为在绝缘层上被形成。10.一种制造一积体电路之方法,包含下列步骤:在邻近一半导体晶片上形成一金属层;在邻近金属层形成一正性光阻层,并具有至少一部分金属层未被覆盖;曝光该光阻层,以形成一图案影像;利用一显影剂显影曝光之光阻层及依据光阻层,显影剂及金属间之交互作用,将未显影之光阻层部分去膜以界定比将在邻近铝层所制出之宽度较小之临界宽度之光罩特征之光罩;及利用包括具有一缩减宽度之光罩特征之光罩蚀刻该金属层,藉此界定具有比将制造出之尺寸较小之临界尺寸之电路特征。11.如申请专利范围第10项之方法,尚包含设计一初缩掩膜版以形成光罩特征之缩减宽度之图样映像之步骤。12.如申请专利范围第10项之方法,其中金属层包含铝。13.如申请专利范围第10项之方法,其中留存之光阻层部分界定具有完全垂直边墙之外貌。14.如申请专利范围第10项之方法,尚包含在金属层上形成光阻层之前,形成一抗反射层之步骤。15.如申请专利范围第14项之方法,其中抗反射层包含一不熔解之金属氮。16.如申请专利范围第10项之方法,尚包含在蚀刻步骤之后移去光罩之步骤。17.如申请专利范围第10项之方法,其中正性光阻层包含一感光之合成物,一基底树脂及一有机溶剂。18.如申请专利范围第10项之方法,其中被蚀刻之金属层界定一用于积体电路相互连接层。19.如申请专利范围第10项之方法,尚包含在邻近半导体晶片形成一绝缘层之步骤,及其中金属层在绝缘层上被形成。20.一种用于制造一积体电路之方法,包含下列步骤:在邻近一半导体晶片形成一绝缘层;在邻近绝缘层形成一铝层;在邻近铝层形成一光阻层并具有铝层之至少一部分未被覆盖;曝光该光阻层,以形成一图案影像;利用一显影剂显影曝光之光阻层及依据光阻层,显影剂及铝间之交互作用,将未显影之光阻层部分去膜,来界定一具有比在邻近铝层所制造出之宽度更缩减之宽度之光罩特征之光罩;及利用包括具有缩减宽度之特征之光罩蚀刻铝层藉此来界定具有比所要制造之尺寸较小之临界尺寸之电路特征。21.如申请专利范围第20项之方法,尚包含设计一初缩掩膜版来形成用于留存之光阻层部分之缩减宽度之图像之步骤。22.如申请专利范围第20项之方法,其中光罩特征界定具有完全垂直边墙之外貌。23.如申请专利范围第20项之方法,其中包含在铝层上形成光阻层之步骤之前,形成一抗反射层之步骤。24.如申请专利范围第23项之方法,其中抗反射层包含一不熔解之金属氮。25.如申请专利范围第20项之方法,尚包含在蚀刻步骤之后移去光罩之步骤。26.如申请专利范围第20项之方法,其中光阻层包含一感光之合成物,一基底树脂及一有机溶剂之一正性光阻层。图式简单说明:图1,为按照本发明一半导体晶片之制程之解说之横断面图;图2,为图1之半导体晶片在蚀刻及一解说之横断面图;图3,为按照本发明之一具体实施例制造积体电路方法之一显示之流程图;图4,为由一先前技艺处理所得到之光阻层特征之显微照像之一横断面图;及图5,为由发明之一方法所得到之光阻层特征之显微照像之一横断面图。 |
