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发明名称 Supraleitender Feld-Effekt-Transistor mit extrem dünnen supraleitenden Kanal aus Oxid-Supraleiter Material
摘要
申请公布号 DE69219296(T2) 申请公布日期 1997.12.04
申请号 DE1992619296 申请日期 1992.12.14
申请人 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD., OSAKA, JP 发明人 INADA, HIROSHI, F-75116 PARIS, FR;TANAKA, SO, F-75116 PARIS, FR;IIYAMA, MICHITOMO, F-75116 PARIS, FR
分类号 H01L39/22;H01L39/14;H01L39/24;(IPC1-7):H01L39/24 主分类号 H01L39/22
代理机构 代理人
主权项
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