| 主权项 |
1.一种预防金属层剥离之方法,至少包括:提供一晶圆,该晶圆具有一材质层;将该晶圆置入一晶盒中,且将一气体充入该晶盒中;将该晶圆从该晶盒中取出;形成该金属层于该材质层上;以及将该晶圆再次置入该晶盒中,且将该气体充入该晶盒中。2.如申请专利范围第1项所述之预防金属层剥离之方法,其中该形成该金属层于该材质层上之步骤系使用电化学电镀法(electrochemical plating;ECP)。3.如申请专利范围第1项所述之预防金属层剥离之方法,其中该气体为氮气。4.如申请专利范围第1项所述之预防金属层剥离之方法,其中该气体为钝气。5.如申请专利范围第1项所述之预防金属层剥离之方法,其中该气体之流量约为70010%sccm。6.如申请专利范围第1项所述之预防金属层剥离之方法,其中将该气体充入该晶盒中之步骤所历经之时间约为300sec。7.一种预防金属层剥离之方法,至少包括:提供一晶圆,该晶圆具有一预设结构,且该预设结构上具有一开口;处理该晶圆,其中该处理步骤可为蚀刻与平坦化步骤两者择一;将该晶圆置入一晶盒中,且将一气体充入该晶盒中;形成该金属层于该预设结构之该开口中;以及将该晶圆再次置入该晶盒中,且将该气体充入该晶盒中。8.如申请专利范围第7项所述之预防金属层剥离之方法,其中该气体为氮气。9.如申请专利范围第7项所述之预防金属层剥离之方法,其中该气体为钝气。10.如申请专利范围第7项所述之预防金属层剥离之方法,其中该气体之流量约为70010%sccm。11.如申请专利范围第7项所述之预防金属层剥离之方法,其中该将该气体充入该晶盒中之步骤所历经之时间约为300sec。12.一种预防金属层剥离之方法,至少包括:提供一晶圆,其中该晶圆具有一基材;形成一第一蚀刻中止层于该基材上;将该晶圆置入一晶盒中,且将一气体充入该晶盒中;将该晶圆自该晶盒中取出,且形成一第一介电层于该第一蚀刻中止层上;形成一第二蚀刻中止层于该第一介电层上;将该晶圆置入该晶盒中,且将该气体充入该晶盒中;将该晶圆自该晶盒中取出,且形成一第二介电层于该第二蚀刻中止层上;蚀刻部分之该第二介电层、该第二蚀刻中止层、该第一介电层、以及该第一蚀刻中止层,使形成一介层洞并约暴露出部分之该基材;将该晶圆置入该晶盒中,且将该气体充入该晶盒中;将该晶圆自该晶盒中取出,且蚀刻部分之该第二介电层以及该第二蚀刻中止层,使形成一沟槽,且该沟槽位于该介层洞上并约暴露出部分之该第一介电层;将该晶圆置入该晶盒中,且将该气体充入该晶盒中;将该晶圆自该晶盒中取出,且形成一阻障层覆盖该第二介电层与约暴露出之部分该第一介电层;形成一晶种层覆盖该阻障层;将该晶圆置入该晶盒中,且将该气体充入该晶盒中;将该晶圆自该晶盒中取出,且形成一金属层覆盖该晶种层并填满该介层洞与该沟槽;将该晶圆置入该晶盒中,且将该气体充入该晶盒中;将该晶圆自该晶盒中取出,且平坦化该金属层,使约暴露出部分之该晶种层;以及将该晶圆置入该晶盒中,且将该气体充入该晶盒中。13.如申请专利范围第12项所述之预防金属层剥离之方法,其中该气体为氮气。14.如申请专利范围第12项所述之预防金属层剥离之方法,其中该气体为钝气。15.如申请专利范围第12项所述之预防金属层剥离之方法,其中该形成该金属层之步骤系使用电化学电镀法。16.如申请专利范围第12项所述之预防金属层剥离之方法,其中该平坦化该金属层之步骤系使用化学机械研磨法。17.如申请专利范围第12项所述之预防金属层剥离之方法,其中该气体之流量约为70010%sccm。18.如申请专利范围第12项所述之预防金属层剥离之方法,其中该将该气体充入该晶盒中之步骤所历经之时间约为300sec。图式简单说明:第1图为习知铜制程中双金属镶嵌技术之结构剖面图;第2图为习知铜制程中双金属镶嵌结构中金属层剥离之示意图;第3A图至第3H图为本发明之一较佳实施例之预防金腐层剥离之方法之结构剖面图;第4图为本发明之一较佳实施例中将氮气充入各类晶盒中后湿度及温度随着时间变化之关系图;第5图为本发明之一较佳实施例中将氮气充入晶盒与习知未将氮气充入晶盒之两种情况下介层的接触电阻之比较图; |
