| 主权项 |
1.一种降低电阻电介质陶瓷压制物,包括:一种固体溶液,其包括钛酸钡作为主要成份以及一种辅助烧结剂,其中在-25℃以上之温度范围中以x射线绕射所制得的晶轴比c/a符合1.000≦c/a≦1.003,而且在2Vrms/mm以下电强度以及1 kHz之AC频率下测得的相对介电常数温度依存度当中,最大値尖峰存在低于-25℃温度处,其中,该主要成份系以下式表示ABO3+aR+bM其中,ABO3系一种钛酸钡基钙钛矿化合物,其具有A-位置元素与B-位置元素,而且1.000<A/B≦1.035,R系一种包含选自由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb与Lu组成之群中至少一种元素的化合物,M系一种包含选自由Mn、Ni、Mg、Fe、Al、Cr与Zn组成之群中至少一种元素的化合物,而且a与b系莫耳数,而且0.005≦a≦0.12而且0.005≦b≦0.12。2.根据申请专利范围第1项之降低电阻电介质陶瓷压制物,其中相对于100重量份数该主要成份,该辅助烧结剂约为0.2至4重量份数。3.根据申请专利范围第1项之降低电阻电介质陶瓷压制物,其中该主要成份包括X(Zr,Hf)O3,其中X系选自由Ba、Sr与Ca组成之群当中至少一种元素。4.根据申请专利范围第1项之降低电阻电介质陶瓷压制物,其中相对于1莫耳该主要成份中之ABO3,X(Zr,Hf)O3之数量大于零,且最高达约0.20莫耳。5.根据申请专利范围第1项之降低电阻电介质陶瓷压制物,其中该主要成份另外包括一种化合物D,其包含由V、Nb、Ta、Mo、W、Y、Sc、P、Al与Fe组成之群中至少一种元素。6.根据申请专利范围第5项之降低电阻电介质陶瓷压制物,其中相对于1莫耳该主要成份中之ABO3,D之数量大于零,而且最高达约0.02莫耳。7.根据申请专利范围第5项之降低电阻电介质陶瓷压制物,其中该主要成份包括X(Zr,Hf)O3,其中X系选自由Ba、Sr与Ca组成之群当中至少一种元素。8.根据申请专利范围第3项之降低电阻电介质陶瓷压制物,其中相对于1莫耳该主要成份中之ABO3,X(Zr,Hf)O3之数量大于零,且最高达约0.20莫耳。9.根据申请专利范围第8项之降低电阻电介质陶瓷压制物,其中ABO3系一种钛酸钡基钙钛矿化合物,其由化学式{(Ba1-x-ySrxCay)O}mTiO2表示,其中0≦x+y≦0.20,且1.000<m≦1.035,该辅助烧结剂系选自一种含硼化合物、一种含矽化合物以及一种含硼与矽化合物之群组中,以及相对于100重量份数该钛酸钡基钙钛矿化合物,另外包括正数量最高达约0.5重量份数之化合物,其包含选自S、Na与K中至少一种元素,而且包括正数量最高达约5重量份数之含Cl化合物。10.根据申请专利范围第1项之降低电阻电介质陶瓷压制物,其中ABO3系一种钛酸钡基钙钛矿化合物,其由化学式{(Ba1-x-ySrxCay)O}mTiO2表示,其中0≦x+y≦0.20,且1.000<m≦1.035,进一步包括相对于100重量份数该钛酸钡基钙钛矿化合物,另外包括正数量最高达约0.5重量份数之化合物,其包含选自S、Na与K中至少一种元素,而且包括正数量最高达约5重量份数之含Cl化合物。11.根据申请专利范围第1项之降低电阻电介质陶瓷压制物,其中该辅助烧结剂系选自一种含硼化合物、一种含矽化合物以及一种含硼与矽化合物之群组中。12.根据申请专利范围第11项之降低电阻电介质陶瓷压制物,其中该含矽化合物系氧化矽。13.一种层压陶瓷电容器,包括:数层电介质陶瓷层;数个内部电极,其各夹于电介质陶瓷层至少一部分之间;以及一对外部电极,其与该内部电极电连接,其中该电介质陶瓷层包括根据申请专利范围第9项之降低电阻电介质陶瓷压制物。14.根据申请专利范围第13项之层压陶瓷电容器,其中该内部电极包括镍、一种镍合金、铜或一种铜合金。15.根据申请专利范围第14项之层压陶瓷电容器,其中各个外部电极包括一层第一层,其包括一种粉末状导电金属,而且视需要包括玻璃料、结晶玻璃或陶瓷;以及一层第二层,其位于该第一层之上,而且是一层镀层。16.一种层压陶瓷电容器,包括:数层电介质陶瓷层;数个内部电极,其各夹于电介质陶瓷层至少一部分之间;以及一对外部电极,其与该内部电极电连接,其中该电介质陶瓷层包括根据申请专利范围第7项之降低电阻电介质陶瓷压制物。17.根据申请专利范围第16项之层压陶瓷电容器,其中该内部电极包括镍、一种镍合金、铜或一种铜合金。18.根据申请专利范围第17项之层压陶瓷电容器,其中各个外部电极包括一层第一层,其包括一种粉末状导电金属,而且视需要包括玻璃料、结晶玻璃或陶瓷;以及一层第二层,其位于该第一层之上,而且是一层镀层。19.一种层压陶瓷电容器,包括:数层电介质陶瓷层;数个内部电极,其各夹于电介质陶瓷层至少一部分之间;以及一对外部电极,其与该内部电极电连接,其中该电介质陶瓷层包括根据申请专利范围第1项之降低电阻电介质陶瓷压制物。20.根据申请专利范围第19项之层压陶瓷电容器,其中该内部电极包括镍、一种镍合金、铜或一种铜合金。21.根据申请专利范围第21项之层压陶瓷电容器,其中各个外部电极包括一层第一层,其包括一种粉末状导电金属,而且视需要包括玻璃料、结晶玻璃或陶瓷;以及一层第二层,其位于该第一层之上,而且是一层镀层。图式简单说明:图1系显示本发明一具体实施例层压陶瓷电容器的横剖面图;而图2系显示图1所示之层压陶瓷电容器的陶瓷层压制件之分解透视图。 |
