ON CHIP REDUNDANCY REPAIR FOR MEMORY DEVICES

摘要

메모리 장치를 위한 온 칩 리던던시 수리. 메모리 장치의 실시예는 DRAM(dynamic random-access memory); 및 상기 DRAM과 결합된 시스템 요소를 포함한다. 상기 시스템 요소는 상기 DRAM의 제어를 위한 메모리 컨트롤러, 및 상기 메모리 컨트롤러와 결합된 수리 로직 - 상기 수리 로직은 상기 DRAM의 결함 있는 영역들에 대한 고장 주소들로 식별된 주소들을 보유하고 있음 - 을 포함한다. 상기 수리 로직은 메모리 연산 요청을 수신하고 그 요청에 대한 연산 주소에 대한 리던던시 수리를 구현하도록 구성되어 있다.