| 发明名称 | 作为有机半导体的氮杂二萘嵌苯 | ||
| 摘要 | 包含式I的氮杂二萘嵌苯有机半导体的新半导体设备，其中每个R1、R2、R3和R4独立选自H、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基、卤素、Si(R11)<SUB>3</SUB>、XR6；或一个或多个R1和R2、R2和R3、R3和R4，与它们键合的碳原子一起形成饱和的或不饱和的、无取代的或取代的碳环或杂环；R5为OR7、SR7、NR7R8、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基或无取代的或取代的芳基；R6为Si(R11)<SUB>3</SUB>、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基；R7为H、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基；X为O、S、NR8；R8为H、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基，R11为C<SUB>1</SUB>－C<SUB>20</SUB>－烷基或－烷氧基。 | ||
| 申请公布号 | CN101176217A | 申请公布日期 | 2008.05.07 |
| 申请号 | CN200680016379.9 | 申请日期 | 2006.05.03 |
| 申请人 | 西巴特殊化学品控股有限公司 | 发明人 | F·比尼沃尔德;B·施米德哈尔特;U·贝伦斯;H·J·柯纳 |
| 分类号 | H01L51/00(2006.01) | 主分类号 | H01L51/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 段晓玲;韦欣华 |
| 主权项 | 1.半导体设备，或含有半导体元件的设备，包含式I的氮杂二萘嵌苯有机半导体<img file="S2006800163799C00011.GIF" wi="746" he="463" />其中每个R1、R2、R3和R4独立选自H、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基、卤素、取代的甲硅烷基、XR6；或一种或多种的R1和R2、R2和R3、R3和R4，与它们键合的碳原子一起形成饱和的或不饱和的、无取代的或取代的碳环或杂环；R5为OR7、SR7、NR7R8、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基或无取代的或取代的芳基；R6为取代的甲硅烷基、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基；R7为H、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基；X为O、S、NR8；R8为H、无取代的或取代的烷基、无取代的或取代的链烯基、无取代的或取代的炔基、无取代的或取代的芳基。 | ||
| 地址 | 瑞士巴塞尔 | ||