| 主权项 |
1.一种显示装置用之电极结构,包括:复数个第一电极;一介电层配置在该等复数个第一电极上;以及复数个第二电极,该等复数个第二电极配置在该介电层上。2.如申请专利范围第1项所述之电极结构,其中,该等电极是配置在一背板上,该等复数个第一电极更包括一金属合金,该等复数个第二电极更包括该金属合金。3.如申请专利范围第2项所述之电极结构,其中,该等复数个第一电极是列电极而该等复数个第二电极是行电极。4.如申请专利范围第2项所述之电极结构,其中,该等复数个第一电极是行电极而该等复数个第二电极是列电极。5.如申请专利范围第2-4项中任一项所述之电极结构,其中,该金属合金包括铝合金。6.如申请专利范围第5项所述之电极结构,其中,该铝合金包括铝及钕。7.如申请专利范围第6项所述之电极结构,其中,该铝合金包括浓度0.5至6原子百分率之钕。8.如申请专利范围第6项所述之电极结构,其中,该铝合金更包括钛。9.如申请专利范围第8项所述之电极结构,其中,该铝合金包括至多浓度5原子百分率之钛。10.如申请专利范围第1项所述之电极结构,其中,该等复数个第一电极更包括:一包覆层配置在该金属合金上。11.如申请专利范围第10项所述之电极结构,其中,该包覆层包括钼及钨。12.如申请专利范围第1-4项中任一项所述之电极结构,其中,该金属合金包括银合金。13.如申请专利范围第12项所述之电极结构,其中,该银合金包括银及钯。14.如申请专利范围第13项所述之电极结构,其中,该银合金包括浓度0.5至2原子百分率之钯。15.如申请专利范围第13项所述之电极结构,其中,该银合金更包括铜。16.如申请专利范围第15项所述之电极结构,其中,该银合金包括浓度0.5至2原子百分率之铜。17.如申请专利范围第13项所述之电极结构,其中,该银合金更包括钛。18.如申请专利范围第17项所述之电极结构,其中,该银合金包括至多浓度2原子百分率之钛。19.如申请专利范围第2-4项中任一项所述之电极结构,更包括:一钝态层配置在该等复数个第二电极上。20.如申请专利范围第19项所述之电极结构,其中,该钝态层包括氮化矽。21.如申请专利范围第2-4项中任一项所述之电极结构,更包括一阻抗层覆盖在该等复数个第一电极上,该介电层覆盖在该阻抗层上。22.一种形成显示装置用之电极结构之方法,包括:a)于一背板上沉积一金属合金层;b)于该金属合金层上沉积一包覆层如此该包覆层是覆盖在该金属合金层上;以及c)使用湿蚀刻制程蚀刻该金属合金层及该包覆层以形成复数个电极。23.如申请专利范围第22项所述之方法,其中,该步骤a)及步骤b)是在一单一的溅镀装置中接续施行。24.如申请专利范围第22或23项所述之方法,其中,该金属合金包括铝合金。25.如申请专利范围第24项所述之方法,其中,该铝合金包括铝及钕。26.如申请专利范围第25项所述之方法,其中,该铝合金包括浓度0.5至6原子百分率之钕。27.如申请专利范围第25项所述之方法,其中,该铝合金更包括钛。28.如申请专利范围第27项所述之方法,其中,该铝合金包括至多浓度5原子百分率之钛。29.如申请专利范围第22项所述之方法,其中,该金属合金包括银合金。30.如申请专利范围第29项所述之方法,其中,该银合金包括银及钯。31.如申请专利范围第30项所述之方法,其中,该银合金包括浓度0.5至2原子百分率之钯。32.如申请专利范围第30项所述之方法,其中,该银合金更包括钛。33.如申请专利范围第32项所述之方法,其中,该银合金包括至多浓度2原子百分率之钛。34.如申请专利范围第29项所述之方法,其中,该银合金更包括浓度0.5至2原子百分率之铜。35.如申请专利范围第34项所述之方法,其中,该银合金包括至多浓度2原子百分率之钛。36.一种形成显示装置用之电极结构之方法,包括:a)于一背板上沉积一第一金属合金层;b)光罩及蚀刻该第一金属合金层以形成复数个第一电极;c)于该等复数个第一电极上沉积一阻抗层;d)于该阻抗层上沉积一介电层;e)于该介电层上沉积一第二金属合金层;f)光罩及蚀刻该第二金属合金层以形成复数个第二电极;以及g)于该等复数个第二电极上沉积一氮化矽层,该氮化矽层于后续制程步骤中用以保护该等复数个第二电极。37.如申请专利范围第36项所述之方法,更包括:a1)于该第一金属合金层上配置一包覆层如此该包覆层是覆盖在该第一金属合金层上。38.如申请专利范围第36项所述之方法,其中步骤b),更包括:b1)在一单一的溅镀装置中接续蚀刻该第一金属合金层及该包覆层。39.如申请专利范围第36项所述之方法,更包括:a1)于该第二金属合金层上配置一包覆层如此该包覆层是覆盖在该第二金属合金层上。40.如申请专利范围第36项所述之方法,其中步骤f),更包括:f1)在一单一的溅镀装置中接续蚀刻该第二金属合金属及该包覆层。41.如申请专利范围第36项所述之方法,其中步骤b)及f),是使用一蚀刻剂包括硝酸、磷酸、醋酸及水而于各等复数个电极上形成斜角边缘。42.如申请专利范围第36项所述之方法,其中该第一金属合金层及该第二金属合金层包括铝合金。43.如申请专利范围第36项所述之方法,其中该第一金属合金属及该第二金属合金层包括银合金。44.如申请专利范围第37项所述之方法,其中该包覆层包括钼及钨。45.一种形成显示装置用之电极结构之方法,包括:a)形成复数个第一电极;b)于该等复数个第一电极上沉积一阻抗层;c)于该阻抗层上沉积一介电层;以及d)形成复数个第二电极。46.如申请专利范围第45项所述之方法,更包括步骤:e)于该等复数个第二电极上沉积一钝态层,该钝态层于后续制程步骤中用以保护该等复数个第二电极。47.如申请专利范围第46项所述之方法,其中该钝态层更包括氮化矽层。48.如申请专利范围第47项所述之方法,更包括形成闸极结构之步骤,该闸极结构是配置于该氮化矽层上。49.如申请专利范围第47项所述之方法,更包括形成闸极结构之步骤,该闸极结构是配置于该等复数个第二电极及该氮化矽层之间。50.如申请专利范围第47项所述之方法,更包括形成闸极结构之步骤,该闸极结构是配置于该介电层及该等复数个第二电极之间。51.如申请专利范围第50项所述之方法,其中该形成闸极结构之步骤更包括沉积一闸极金属层之步骤,于沉积该氮化矽层之前光罩及蚀刻该闸极金属层。52.如申请专利范围第50项所述之方法,其中该形成闸极结构之步骤更包括沉积一闸极金属层之步骤,于沉积该氮化矽层之后光罩及蚀刻该闸极金属层。53.如申请专利范围第50项所述之方法,更包括形成钽结构之步骤,该钽结构是配置于该闸极结构及该等复数个第二电极之间。54.如申请专利范围第47项所述之方法,更包括于沉积该氮化矽层之步骤之前沉积一介电层之步骤。55.如申请专利范围第1项所述之电极结构,更包括:一阻抗层配置于该等复数个第一电极上,如此该介电层是配置于该阻抗层上;以及一钝态层配置于该等复数个第二电极上。56.如申请专利范围第55项所述之电极结构,其中该钝态层包括氮化矽层。57.如申请专利范围第56项所述之电极结构,更包括:f)一闸极结构,该闸极结构配置于该氮化矽层上。58.如申请专利范围第56项所述之电极结构,更包括:f)一闸极结构,该闸极结构配置于该等复数个第二电极及该氮化矽层之间。59.如申请专利范围第56项所述之电极结构,更包括:f)一闸极结构,该闸极结构配置于该介电层及该等复数个第二电极之间。60.如申请专利范围第59项所述之电极结构,更包括:g)一钽结构,该钽结构配置于该闸极结构及该等复数个第二电极之间。61.如申请专利范围第56项所述之电极结构,更包括:g)一介电层配置于该等复数个第二电极及该氮化矽层之间。62.如申请专利范围第45项所述之方法,其中沉积该介电层是沉积一第一介电层,该方法更包括步骤:e)于该等复数个第二电极上沉积一第二介电层,该第二介电层于后续制程步骤中用以保护该等复数个第二电极。63.如申请专利范围第62项所述之方法,更包括于该等复数个第二电极上沉积一第一溅镀钼层之步骤。64.如申请专利范围第63所述之方法,更包括于该第一溅镀钼层上沉积一蒸镀钼层及于该蒸镀钼层上积一第二溅镀钼层,该第二介电层配置于该第二溅镀钼层上。65.如申请专利范围第45项所述之方法,其中沉积该介电层是沉积一第一介电层,该方法更包括步骤:e)于该等复数个第二电极上沉积一蒸镀铬层,该蒸镀铬层于后续制程步骤中用以保护该等复数个第二电极。66.如申请专利范围第65项所述之方法,更包括沉积一第二介电层之步骤,该第二介电层配置于该蒸镀铬层上。67.如申请专利范围第65项所述之方法,更包括于该蒸镀铬层上沉积一蒸镀钼层,该第二介电层配置于该蒸镀钼层上。68.一种显示装置用之电极结构,包括:a)复数个第一电极;b)一阻抗层配置于该等复数个第一电极上;c)一第一介电层配置于该阻抗层上;d)复数个第二电极配置于该第一介电层上;以及e)一第二介电层配置于该等复数个第二电极上。69.如申请专利范围第68项所述之电极结构,其中该介电层包括二氧化矽层。70.如申请专利范围第69项所述之电极结构,更包括:f)一蒸镀钼层配置于该溅镀钼层及该第二介电层之间。图式简单说明:第1图系显示依据本发明之一实施例形成一显示装置用之电极结构之方法。第2图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示金属合金层沉积在背板上。第3图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示沉积一包覆层。第4A图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第3图之结构在光罩及蚀刻步骤形成下电极后之情形。第4B图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第3图之结构在光罩及蚀刻步骤形成下电极后之情形。第5A图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第4A图之结构在沉积一阻抗层后之情形。第5B图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第4B图之结构在沉积一阻抗层后之情形。第6A图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第5A图之结构在沉积一介电层后之情形。第6B图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第5B图之结构在沉积一介电层后之情形。第7A图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第6A图之结构在沉积一金属合金层后之情形。第7B图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第6B图之结构在沉积一金属合金层后之情形。第8A图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第7A图之结构在沉积一包覆层后之情形。第8B图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第7B图之结构在沉积一包覆层后之情形。第9A图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第8A图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第9B图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第8B图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第10A图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第9A图之结构在沉积一钝态层后之情形。第10B图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第9B图之结构在沉积一钝态层后之情形。第11A图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第10A图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第11B图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第10B图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第12A图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第11A图之结构在沉积一闸极金属层后之情形。第12B图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第11B图之结构在沉积一闸极金属层后之情形。第13A图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第12A图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第13B图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第12B图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第14A图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第13A图之结构在射极及聚焦结构形成后之情形。第14B图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第13B图之结构在射极及聚焦结构形成后之情形。第15图系显示依据本发明之一实施例形成一显示装置用之电极结构之方法。第16A图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示下及上电极形成在背板上,且具有一阻抗层、一介电层,及一闸极结构。第16B图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示下及上电极形成在背板上,且具有一阻抗层、一介电层,及一闸极结构。第16C图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第9A图之结构在沉积、光罩及蚀刻形成一钝态层后之情形。第16D图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第9B图之结构在沉积、光罩及蚀刻形成一钝态层后之情形。第16E图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第16C图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第16F图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第16D图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第16G图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第16E图之结构在蒸镀铬层、沉积锥体材料、沉积介电层、及施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第16H图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第16F图之结构在蒸镀铬层、沉积锥体材料、沉积介电层、及施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第16I图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示完整阴极结构。第16J图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示完整阴极结构。第17图系显示依接本发明之一实施例形成一显示装置用之电极结构之方法。第18A图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示下及上电极形成在背板上,且具有一阻抗层、一介电层,及一闸极层。第18B图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示下及上电极形成在背板上,且具有一阻抗层、一介电层,及一闸极层。第18C图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第18A图之结构在光罩及蚀刻形成一闸极结构后之情形。第18D图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第18B图之结构在光罩及蚀刻形成一闸极结构后之情形。第18E图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第18C图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第18F图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第18D图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第18G图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第18E图之结构在沉积钝态层及施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第18H图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第18F图之结构在沉积钝态层及施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第18I图系显示依样本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第18G图之结构在蒸镀铬层、沉积锥体材料、沉积介电层、及施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第18J图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第18H图之结构在蒸镀铬层、沉积锥体材料、沉积介电层、及施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第18K图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第18I图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第18L图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第18J图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第18M图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示完整阴极结构。第18N图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示完整阴极结构。第19图系显示依据本发明之一实施例形成一显示装置用之电极结构之方法。第20A图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示下及上电极形成在背板上,且具有一阻抗层、一介电层、一钽层、及一闸极层。第20B图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示下及上电极形成在背板上,且具有一阻抗层、一介电层、一钽层、及一闸极层。第20C图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第20A图之结构在光罩及蚀刻形成一钽结构及一闸极结构后之情形。第20D图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第20B图之结构在光罩及蚀刻形成一钽结构及一闸极结构后之情形。第20E图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第20C图之结构在沉积钝态层及施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第20F图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第20D图之结构在沉积钝态层及施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第20G图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第20E图之结构在蒸镀铬层、沉积锥体材料、沉积介电层、及施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第20H图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第20F图之结构在蒸镀铬层、沉积锥体材料、沉积介电层、及施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第20I图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第20G图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第20J图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第20H图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第20K图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示完整阴极结构。第20L图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示完整阴极结构。第21图系显示依据本发明之一实施例形成一显示装置用之电极结构之方法。第22A图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示下及上电极形成在背板上,且具有一阻抗层、一介电层,及一闸极层。第22B图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示下及上电极形成在背板上,且具有一阻抗层、一介电层,及一闸极层。第22C图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第22A图之结构在沉积钝态层及施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第22D图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第22B图之结构在沉积钝态层及施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第22E图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第22C图之结构在沉积、光罩及蚀刻一介电层后之情形。第22F图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第22D图之结构在沉积、光罩及蚀刻一介电层后之情形。第22G图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第22E图之结构在施行蚀刻步骤形成一洞后之情形。第22H图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第22F图之结构在施行蚀刻步骤形成一洞后之情形。第22I图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第22G图之结构在蒸镀铬层、沉积锥体材料、沉积介电层、及施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第22J图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第22H图之结构在蒸镀铬层、沉积锥体材料、沉积介电层、及施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第22K图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第22I图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第22L图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第22J图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第22M图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示完整阴极结构。第22N图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示完整阴极结构。第23图系显示依据本发明之一实施例形成一显示装置用之电极结构之方法。第24A图系显示依样本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示下及上电极形成在背板上,且具有一阻抗层、一介电层、及一闸极结构。第24B图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示下及上电极形成在背板上,且具有一阻抗层、一介电层、及一闸极结构。第24C图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第24A图之结构在沉积溅镀钼层、沉积蒸镀钼层及沉积溅镀钼层后之情形。第24D图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第24B图之结构在沉积溅镀钼层、沉积蒸镀钼层及沉积溅镀钼层后之情形。第24E图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第24C图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第24F图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第24D图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第24G图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第24E图之结构在沉积一介电层及一钝态层后之情形。第24H图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第24F图之结构在沉积一介电层及一钝态层后之情形。第24I图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第24G图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第24J图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第24H图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第24K图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第24I图之结构在施行光罩及蚀刻步骤及形成聚焦结构后之情形。第24L图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第24J图之结构在施行光罩及蚀刻步骤及形成聚焦结构后之情形。第24M图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第24K图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第24N图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第24L图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第25图系显示依据本发明之一实施例形成一显示装置用之电极结构之方法。第26A图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示下及上电极形成在背板上,且具有一阻抗层、一介电层、一闸极结构、一溅镀钼层、一蒸镀钼层、及一溅镀钼层、施行光罩及蚀刻步骤及沉积一介电层。第26B图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示下及上电极形成在背板上,且具有一阻抗层、一介电层、一闸极结构、一溅镀钼层、一蒸镀钼层、及一溅镀钼层、施行光罩及蚀刻步骤及沉积一介电层。第26C图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第26A图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第26D图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第26B图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第26E图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第26C图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第26F图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第26D图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第26G图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第26E图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第26H图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第26F图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第26I图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第26G图之结构在施行光罩及蚀刻步骤及形成聚焦结构后之情形。第26J图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第26H图之结构在施行光罩及蚀刻步骤及形成聚焦结构后之情形。第26K图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第26I图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第26L图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第26J图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第27图系显示依据本发明之一实施例形成一显示装置用之电极结构之方法。第28A图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示下及上电极形成在背板上,且具有一阻抗层、一介电层、一闸极结构、一蒸镀铬层、一蒸镀钼层、及一介电层。第28B图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示下及上电极形成在背板上,且具有一阻抗层、一介电层、一闸极结构、一蒸镀铬层、一蒸镀钼层、及一介电层。第28C图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第28A图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第28D图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第28B图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第28E图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第28C图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第28F图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第28D图之结构在施行光罩及蚀刻步骤后之情形。第28G图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第28E图之结构在形成聚焦结构后之情形。第28H图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第28F图之结构在形成聚焦结构后之情形。第28I图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第28G图之结构在施行蚀刻步骤后之情形。第28J图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第28H图之结构在施行蚀刻步骤后之情形。第28K图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第28I图之结构在施行蚀刻步骤后之情形。第28L图系显示依据本发明之一实施例之显示装置之剖面图,显示第28J图之结构在施行蚀刻步骤后之情形。 |
