发明名称 Chemical-Mechanical Polishing Method
摘要 본 발명은 탄탈 및 전도성 금속 (탄탈 제외)을 포함하는 기판의 화학 기계적 연마 방법을 제공한다. 상기 방법은 (a) 기판에 전도성 금속 선택성 연마 조성물 및 금속 산화물 연마제를 도포하는 단계, (b) 탄탈에 비해 전도성 금속의 적어도 일부를 기판으로부터 선택적으로 제거하는 단계, (c) 기판에 탄탈 선택성 연마 조성물 및 금속 산화물 연마제를 도포하는 단계, 및 (d) 전도성 금속에 비해 탄탈의 적어도 일부를 기판으로부터 제거하는 단계를 포함한다. 한 실시태양에서, 전도성 금속 선택성 연마 조성물은 임의의 연마 조성물이며, 탄탈 선택성 연마 조성물은 과황산염 화합물, 및 전도성 금속을 위한 패시베이션 막 형성제를 포함한다. 또다른 실시태양에서는, 전도성 금속 선택성 연마 조성물은 과황산염 화합물, 및 임의로 전도성 금속을 위한 패시베이션 막 형성제를 포함하고, 상기 기재한 바와 같이 전도성 금속 선택성 연마 조성물 또는 연마 공정을 조정하여 전도성 금속 선택성 연마 조성물이 탄탈 선택성 연마 조성물이 되도록 한다.
申请公布号 KR20020068050(A) 申请公布日期 2002.08.24
申请号 KR20027007204 申请日期 2002.06.05
申请人 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 发明人 왕,슈민;쵸우,호머
分类号 B24B57/02;B24B37/00;C09G1/02;C09K3/14;H01L21/304;H01L21/3105;H01L21/3205;H01L21/321 主分类号 B24B57/02
代理机构 代理人
主权项
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