发明名称 a method of manufacturing a semiconductor device
摘要 <p>층간 절연막에 비아홀을 형성하고 글로층과 텅스텐층 연속하여 증착한 다음, SF을 사용하여 텅스텐층을 글로층이 노출되기 직전까지 1차로 전면 식각한다. 남아있는 텅스텐층 표면을 산소 플라스마로 세정한다. 다음, 2차로 텅스텐층을 식각하여 텅스텐 플러그를 완성한다. 이렇게 하면, 텅스텐층의 식각 과정에서 발생하는 황을 비롯한 불순물을 완전히 제거할 수 있어서 글로층 위에 황 덩어리나 텅스텐 찌꺼기가 남는 것을 방지할 수 있고, 이후 배선 패터닝 과정에서 이러한 찌꺼기로 인하여 배선간 단락이 발생하는 것을 방지할 수 있다.</p>
申请公布号 KR100355873(B1) 申请公布日期 2002.10.12
申请号 KR19990067721 申请日期 1999.12.31
申请人 아남반도체 주식회사 发明人 김중규
分类号 H01L21/283 主分类号 H01L21/283
代理机构 代理人
主权项
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