| 发明名称 | 位线结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种位线结构以及相应的制造方法。根据所述方法，至少在第二接触(KS)和毗邻的第一接触(KD)附近用导电沟槽填充材料(5)填充隔离沟槽(T)，所述层与毗邻第二接触(KS)的第一掺杂区(D)互相连接以得到掩埋接触旁路线。 | ||
| 申请公布号 | CN1788352A | 申请公布日期 | 2006.06.14 |
| 申请号 | CN200480013021.1 | 申请日期 | 2004.04.14 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | R·卡科施克;F·舒勒;G·滕佩尔 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L21/8246(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;梁永 |
| 主权项 | 1.一种位线结构，包括半导体衬底(1，100，101)，其用于获得多个半导体部件(SE)，每个半导体部件具有第一导电类型(n)的第一掺杂区(D)和与第一导电类型相反的第二导电类型(p)的第二掺杂区(S)；第二导电类型(p)的位线掺杂区(101)，其用于获得至少一个掩埋位线(BSL)，该区在半导体衬底内形成并电连接到第二掺杂区(S)；至少一个隔离沟槽(2)，其形成在半导体衬底内基本平行于掩埋位线(BSL)用于其绝缘；第一表面绝缘层(I1)，其在半导体衬底的表面处形成；第一表面位线(DL)，其在第一表面绝缘层(I1)的表面处形成并且通过第一接触(KD)电连接到第一掺杂区(D)；第二表面绝缘层(I2)，其在第一表面绝缘层(I1)和/或第一表面位线(DL)的表面处形成；以及第二表面位线(SL)，其在第二表面绝缘层(I2)的表面处形成并且通过至少一个第二接触(KS)电连接到第二掺杂区(S)，其特征在于第一表面位线(DL)在第二接触(KS)区内具有中断，以及隔离沟槽(T)至少在第二接触(KS)和毗邻后者的第一接触(KD)区内具有导电沟槽填充层(5)，为获得掩埋接触旁路线该导电沟槽填充层与毗邻第二接触(KS)的第一掺杂区(D)互相电连接。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||