| 发明名称 | 微机电装置及其绝缘层的电调节 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种制作MEMS装置的方法，其包括：在移除导电牺牲层之前，通过经由所述导电牺牲层跨越绝缘层施加电压达一时间周期来调节所述绝缘层。所述调节过程可用于使积累在所述绝缘层内的电荷饱和或稳定。还可测量跨越所述绝缘层的电阻，以检测所述绝缘层中可能的缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN101389566A | 申请公布日期 | 2009.03.18 |
| 申请号 | CN200780006450.X | 申请日期 | 2007.02.07 |
| 申请人 | 高通MEMS科技公司 | 发明人 | 周岑今;吴春辰;帕特里克·F·布林克利 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81C5/00(2006.01)I;G02B26/00(2006.01)I;H04Q11/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 刘国伟 |
| 主权项 | 1、一种制造MEMS装置的方法，其包含：形成第一电极层；在所述第一电极层上沉积介电层；在所述介电层上沉积牺牲材料层，其中所述牺牲材料层是导电的，且其中所述牺牲材料层与所述介电层电连通；及向所述牺牲材料层施加电压。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||