发明名称 |
半导体元件及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体元件及其制造方法,该方法包括:在基底上形成多个鳍状结构,上述鳍状结构之间具有沟道;以及进行循环工艺至少2次。上述循环工艺包括:沉积工艺以及刻蚀工艺。沉积工艺是在上述沟道中填入第一导体材料层,上述第一导体材料层覆盖上述鳍状结构的顶部以及侧壁。刻蚀工艺是移除部分上述第一导体材料层。 |
申请公布号 |
CN105826312A |
申请公布日期 |
2016.08.03 |
申请号 |
CN201510001573.0 |
申请日期 |
2015.01.04 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
江圳陵;郑俊民 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
任岩 |
主权项 |
一种半导体元件的制造方法,包括:在一基底上形成多个鳍状结构,这些鳍状结构之间具有一沟道;以及进行至少2次循环工艺,以形成一第一导体层,其中该每一循环工艺包括:一沉积工艺,在该沟道中填入一第一导体材料层,该第一导体材料层覆盖这些鳍状结构的顶部以及侧壁;以及一刻蚀工艺,移除部分该第一导体材料层,其中该第一导体层的一第一厚度调整至小于该第一导体层的一第二厚度,其中该第一厚度为位于这些鳍状结构的上部侧壁的该第一导体层的厚度,该第二厚度为位于这些鳍状结构的下部侧壁的该第一导体层的厚度。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 |