一种发光二极管芯片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的N型GAN层、发光层、P型GAN层，P型GAN层上开设有延伸到N型GAN层的凹槽，P型GAN层上设有依次层叠的电流阻挡层和透明导电层，透明导电层内设有延伸到P型GAN层的通孔，通孔内设有P型电极，N型GAN层上设有N型电极，透明导电层和N型GaN层上层叠有钝化层，P型电极为圆柱体，P型电极的直径小于通孔的直径。本发明通过增大P型电极与P型GaN层之间的接触面积，P型电极能良好附着在P型GAN层上，有效避免P型电极脱落，提高LED芯片的可靠性。

主权项

一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的N型GAN层、发光层、P型GAN层，所述P型GAN层上开设有延伸到所述N型GAN层的凹槽，所述P型GAN层上设有依次层叠的电流阻挡层和透明导电层，所述透明导电层内设有延伸到所述P型GAN层的通孔，所述通孔内设有P型电极，所述N型GAN层上设有N型电极，所述透明导电层和所述N型GaN层上层叠有钝化层，其特征在于，所述P型电极为圆柱体，所述P型电极的直径小于所述通孔的直径。