On effectue avantageusement un alignement de masque et de tranche en lithographie aux rayons X grâce à l'utilisation de marques de plaques de zone formées sur le masque et la tranche. Dans la pratique, on a observé que l'intensité et, dans certains cas, même l'emplacement du centre du point lumineux formé par un masque de plaque de zone peut varier pendant l'alignement au fur et à mesure qu'est modifié l'espacement du masque et de la tranche. En conformité avec la présente invention, la plaque de zone (18) sur le masque (12) est entourée dans une couche de blocage d'illumination (72) pour prévenir les transits indésirés et les réflexions des rayons d'illumination.
