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Das Verfahren schlägt vor, daß nach der Bildung von Feldisolationszonen (2) in einem Siliziumsubstrat (1) und nach der Strukturierung von Gateelektroden (3) und Gateoxiden (4) für zwei komplementäre MOS-Transistoren eine erste Maske (6) mit einem Fenster (7) erzeugt wird, das einen ersten Transistorbereich definiert, in dem anschließend mittels Implantationsschritten zunächst eine Wanne (10) mit Atomen eines ersten Leitfähigkeitstyps und danach die Source- und die Drainzone (20,21) des Transistors durch eine Implantation von Atomen eines zweiten Leitfähigkeitstyps erzeugt wird. Anschließend wird die erste Maske entfernt und eine zweite Maske (30) erzeugt, die ein zweites Fenster (31) für einen zweiten Transistorbereich definiert, in dem danach eine zweite Wanne (33) durch Implantation von Atomen eines zweiten Leitfähigkeitstyps und eine Source- und eine Drainzone (40,41) für den zweiten Transistor durch Implantation von Atomen eines ersten Leitfähigkeitstyps erzeugt wird. Durch die blockweisen Implantationsschritte für jeden Transistortyp mit jeweils einer Maske kommt das Verfahren mit insgesamt vier Masken im Grundprozess aus. Die Implantationen, die durch das Polysilizium der Gates (3) und vor allem durch die Gateoxide (4) hindurch erfolgen, beeinträchtigen die Qualität vor allem der Gateoxide nicht wesentlich. <IMAGE> <IMAGE> <IMAGE>
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