| 主权项 |
1.一种微结构探针卡之制法,其包含有下列步骤:a.准备一晶圆基材;b.在该基材之若干预定位置上,分别蚀刻出一自基材顶面凹入之长槽形悬臂空间,以及一自该悬臂空间底部一端凹入之针头空间;c.在各该悬臂空间及针头空间内电铸成型填满凹缺之悬臂及针头;d.在该基材顶面涂布一层光阻作为牺牲层,并以光刻法将该光阻对应各该悬臂远离针头一端之部份去除,分别形成一穿透空缺;e.在该光阻顶面覆上一具有绝缘及光阻特性之座板,并以光刻法将该座板上对应下方各该穿透空缺之部份去除,分别形成一自顶面往下贯穿该座板并与该悬臂接通之基座空间;f.在各该基座空间内电铸成型填满空缺之探针基座;g.除去该基材及该牺牲层。2.依据申请专利范围第1项所述之微结构探针卡之制法,其中:该基材系为矽晶圆,且在进行蚀刻之前预先进行清洗及去水份作业。3.依据申请专利范围第1项所述之微结构探针卡之制法,其中:步骤b中,系先用氢氧化钾溶液对该基材进行异向性蚀刻,成型金字塔形凹入之前述针头空间,再以反应性离子蚀刻,成型自基材顶面垂直凹入之前述悬臂空间。4.依据申请专利范围第1项所述之微结构探针卡之制法,其中:在步骤b与步骤c之间,以溅镀等方式在各该悬臂空间及针头空间底部成型电铸起始层。5.依据申请专利范围第4项所述之微结构探针卡之制法,其中:该电铸起始层之材质为导电材料。6.依据申请专利范围第1项所述之微结构探针卡之制法,其中:该悬臂、该针头及该探针基座之电铸材质为镍钴合金。7.依据申请专利范围第1项所述之微结构探针卡之制法,其中:步骤e中,系于该光阻顶面再涂布一厚膜光阻,经过软烤后进行同步骤中之光刻作业成型该等穿透空缺,之后再进行硬烤而使该厚膜光阻硬化成前述座板。8.依据申请专利范围第7项所述之微结构探针卡之制法,其中:该厚膜光阻系SU-8光阻。9.依据申请专利范围第1项所述之微结构探针卡之制法,其中:步骤e中,系于该光阻上贴合PMMA(Polymethylmethacrylate)材质之前述座板。10.依据申请专利范围第1项所述之微结构探针卡之制法,其中:在步骤b与步骤c之间,于该悬臂空间及该针头空间之壁面上成型绝缘层;步骤g之后,将该针头局部之前述绝缘层去除。11.一种微结构探针卡,其包含有:一座板,具有绝缘及光阻特性,其上若干预定位置各具有一穿通板面二侧之基座空间;若干探针基座,系导电材质,以电铸成型,分别嵌结于该座板之基座空间内,一端与该座板板面齐平,另一端略微凸出该座板;以及若干探针,系导电材质,分别连结于各该探针基座凸出该座板之一端,各该探针包含一悬臂及一针头,其中该悬臂系自该探针基座一端转折延伸,其延伸方向约略与该座板板面平行,并与该座板间具有预定间距,该针头系连结于该悬臂之延伸尾端,自该悬臂朝远离该座板之方向略微凸伸。12.依据申请专利范围第11项所述之微结构探针卡,其中:该座板系由厚膜光阻烘烤硬化后所形成。13.依据申请专利范围第11项所述之微结构探针卡,其中:该座板之材质为PMMA(Polymethyl methacrylate)。14.依据申请专利范围第11项所述之微结构探针卡,其中:该等探针基座及该等探针之材质为镍钴合金。15.依据申请专利范围第11项所述之微结构探针卡,其中:各该探针之针头系呈尖端朝外之金字塔型。16.依据申请专利范围第11项所述之微结构探针卡,其中:各该探针除其针头局部外,表面披覆有一绝缘层。图式简单说明:第一图系本发明一较佳实施例提供之探针卡制法之第一步骤,示意准备一基材;第二图系示意将第一图之基材蚀刻由凹缺后之状态;第三图系示意于第二图中之凹缺底部成型电铸起始层后之状态;第四图系示意于第三图中之凹缺内成型针头及悬臂后之状态;第五图系示意于第四图中之基材顶面涂布光阻并成型穿透空缺后之状态;第六图系示意于第五图中之光阻顶面成型一座板并使座板上成型基座空间后之状态;第七图系示意于第六图中之基座空间内成型探针基座后之状态;第八图系示意第七图中之基材、电铸起始层及光阻(牺牲层)被去除后之状态,为本较佳实施例所制出之探针卡;第九图系本创作一较佳实施例所制出之探针卡之底侧立体图;第十图系本创作一较佳实施例所制出之探针卡之使用状态图;以及第十一图系本创作一较佳实施例所制出之探针卡于使用时,探针之悬臂产生挠曲变形之示意图。 |
