发明名称 三维培养条件下细胞应变加载装置
摘要 本发明公开了一种三维培养条件下细胞应变加载装置,将电源通过驱动线连接至压电陶瓷片驱动部分的电极上,电极与压电陶瓷片相连;通过陶瓷片固定装置将压电陶瓷片固定在基底上,位移传递柱塞后端与压电陶瓷片的位移输出端固定在一起,细胞-支架构成的三维复合体位于培养小室底部位置,左右分别连接多孔固定材料,一侧的多孔固定材料固定在培养小室壁上,另一侧的多孔固定材料与位移传递柱塞固定连接;激光探头非接触安装于传递柱塞后端,与计算机相连,检测传递柱塞的前后位移。本发明能够在不停机的情况下加载振幅、频率,并方便的调节;具有可操作性好,重复精度高,力学加载平稳,误差小,避免了磁场干扰。
申请公布号 CN101221166A 申请公布日期 2008.07.16
申请号 CN200810017367.9 申请日期 2008.01.22
申请人 西北工业大学 发明人 商澎;骞爱荣;杨鹏飞;丁冲;王哲
分类号 G01N33/48(2006.01);G01N3/00(2006.01);C12M1/00(2006.01);C12Q1/02(2006.01);G01B11/16(2006.01) 主分类号 G01N33/48(2006.01)
代理机构 西北工业大学专利中心 代理人 顾潮琪
主权项 1.三维培养条件下细胞应变加载装置,包括压电陶瓷驱动电源、压电陶瓷片驱动部分、细胞培养单元以及激光位移传感器形变检测部分,其特征在于:所述压电陶瓷片驱动部分包括压电陶瓷片、电极、陶瓷片固定装置、传递柱塞、多孔固定材料;细胞培养单元由基底和培养小室构成;激光位移传感器形变检测部分包括激光探头和计算机;电源通过驱动线连接至压电陶瓷片驱动部分的电极上,电极与压电陶瓷片相连;通过陶瓷片固定装置将压电陶瓷片固定在基底上,位移传递柱塞后端与压电陶瓷片的位移输出端固定在一起,前端与连接细胞--支架构成的三维复合体的多孔固定材料固定;细胞--支架构成的三维复合体位于培养小室底部中央位置,左右分别连接多孔固定材料,一侧的多孔固定材料固定在培养小室壁上,另一侧的多孔固定材料与位移传递柱塞固定连接;激光探头非接触安装于传递柱塞后端,与计算机相连,检测传递柱塞的前后位移。
地址 710072陕西省西安市友谊西路127号