| 主权项 |
1.一种半导体装置,在半导体晶圆至少具备:于划线领域区分之晶片领域中,半导体装置形成用之装置模图,与装置模图同时以相同材料形成之监测图,以及覆盖上述装置模图及上述监测模图之层间绝缘膜,而可以上述监测模图测定上述层间绝缘膜之厚度者。2.一种半导体装置,在半导体晶片之装置形成领域中,至少具备:半导体装置形成用装置模图;与该装置模图同时以相同材料形成之监测模图;以覆盖上述装置模图及上述监测模图之层间绝缘膜;而可以上述监测模图测定上述层间绝缘膜之厚度者。3.依据申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中,上述半导体晶圆或上述半导体晶片含有记忆胞领域,上述监测模图系形成于上述记忆胞领域中,或接近上述记忆胞领域。4.依据申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中,上述半导体晶圆或上述半导体晶片之装置模图,含有模图密度为50%以下领域,及超过50%之领域,而分别在各领域形成上述监测模图。5.依据申请专利范围第4项之半导体装置,其中,上述监测模图之尺寸是,短边为5m以上,长边为150m以下。6.一种半导体装置之制造方法,至少具备:在半导体晶圆以划线领域区分之晶片领域中,形成半导体装置形成用装置模图,同时以相同材料形成监测模图之制程;形成覆盖上述装置模图及上述监测模图之层间绝缘膜的制程;将上述层间绝缘膜平滑化之制程;以及在上述监测模图上,测定上述平滑化层间绝缘膜厚度之制程。7.依据申请专利范图第6项所述半导体装置之制造方法,其中,在上述半导体晶圆之晶片领域中,形成记忆胞领域,并在该记忆胞领域中,或接近该记忆胞领域,形成上述监测模图。8.依据申请专利范围第6或7项之半导体装置之制造方法,其中,上述半导体晶圆之晶片领域中,形成装置模图之模图密度为50%以下领域,及超过50%之领域,并分别在各领域上,形成上述监测模图。9.依据申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中,上述监测模图形成为短边5m以上,长边为150m以下。图式简单说明:第1图表示本发明实施形态1半导体装置制造工程之剖面图。第2图表示本发明实施形态1半导体装置构造之剖面图。第3图表示本发明实施形态1半导体装置构造之剖面图。第4图表示本发明实施形态2半导体装置构造之剖面图。第5图表示本发明实施形态3半导体装置构造之剖面图。第6图表示本发明实施形态4半导体装置制造工程之剖面图。第7图用以说明习用研磨方法的研磨装置之剖面图。第8图表示使用习用研磨方法之半导体装置制造工程之剖面图。第9图表示习用膜厚监测模图的配置之平面图。 |
