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Leistungs-MOSFETs (2), die als Sourcefolger betrieben werden, können durch eine "Bootstrap"Schaltungsanordnung angesteuert werden. Zwischen dem Drain- und dem Source-Anschluß des MOSFET (2) liegt dabei eine Reihenschaltung aus einer Diode (3) und einem Kondensator (4). Die Betriebsspannungsquelle, die mit dem Drain-Anschluß des MOSFET (2) verbunden ist, lädt den Kondensator (4) über die Diode (3) auf. Dieser kann sich nun, über die Drain-Source-Strecke eines durch einen Schalter (9) gesteuerten Depletion-MOSFET (5), in die Gate-Source-Kapazität des Leistungs-MOSFET (2) schnell entladen und ihn leitend steuern. Das am Source-Anschluß des MOSFET (2) ansteigende Potential verschiebt über den Kondensator (4) die Spannung am Gate-Anschluß des MOSFET (2) und hält ihn im leitenden Zustand. Der Depletion-MOSFET (5) begrenzt den Ruhestrom auf kleine Werte. Die erfindungsgemäße Schaltungsanordnung wird angewandt in Smart FETs. <IMAGE>
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